Infineon N-Kanal, MOSFET, 40 A 30 V, 8 ben, TSDSON, OptiMOS™ 3 BSZ050N03MSGATMA1

RS-varenummer:: 827-5246
Producentens varenummer:: BSZ050N03MSGATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 40 A 30 V, 8 ben, TSDSON, OptiMOS™ 3 BSZ050N03MSGATMA1

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 74,675

(ekskl. moms)

Kr. 93,35

(inkl. moms)

Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
25 +	Kr. 2,987	Kr. 74,68

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 827-5246
Producentens varenummer:: BSZ050N03MSGATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks.	40 A
	Drain source spænding maks.	30 V
	Serie	OptiMOS™ 3
	Kapslingstype	TSDSON
	Monteringstype	Overflademontering
	Benantal	8
	Drain source modstand maks.	5,7 mΩ
	Kanalform	Enhancement
	Maks. tærskelspænding for port	2V
	Mindste tærskelspænding for port	1V
	Effektafsættelse maks.	48 W
	Transistorkonfiguration	Enkelt
	Gate source spænding maks.	-20 V, +20 V
	Bredde	3.4mm
	Driftstemperatur maks.	+150 °C
	Længde	3.4mm
	Transistormateriale	Si
	Gate-ladning ved Vgs typisk	34 nC ved 10 V
	Antal elementer per chip	1
	Driftstemperatur min.	-55 °C
	Højde	1.1mm

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. 40 A
	Drain source spænding maks. 30 V
	Serie OptiMOS™ 3
	Kapslingstype TSDSON
	Monteringstype Overflademontering
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. 5,7 mΩ
	Kanalform Enhancement
	Maks. tærskelspænding for port 2V
	Mindste tærskelspænding for port 1V
	Effektafsættelse maks. 48 W
	Transistorkonfiguration Enkelt
	Gate source spænding maks. -20 V, +20 V
	Bredde 3.4mm
	Driftstemperatur maks. +150 °C
	Længde 3.4mm
	Transistormateriale Si
	Gate-ladning ved Vgs typisk 34 nC ved 10 V
	Antal elementer per chip 1
	Driftstemperatur min. -55 °C
	Højde 1.1mm

RoHS Status: Ikke relevant

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, op til 40 V

OptiMOS™ produkter findes i højtydende pakker til at løse de mest krævende opgaver, og de giver fuld fleksibilitet på begrænset plads. Disse Infineon-produkter er konstrueret til at opfylde og overstige kravene til energieffektivitet og effekttæthed i de skærpede næste-generations standarder for spændingsregulering i computere.

Hurtigt skiftende MOSFET til SMPS
Optimeret teknologi til DC/DC-konvertere
Kvalificeret i overensstemmelse med JEDEC1) til målanvendelser
N-kanal, logikniveau
Fremragende gate-opladning x R DS(til) produkt (FOM)
Meget lav modstand ved tændt R DS(on)
Blyfri belægning

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Infineon N-Kanal, MOSFET, 40 A 30 V, 8 ben, TSDSON, OptiMOS™ 3 BSZ050N03MSGATMA1

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, op til 40 V

Relaterede links