Infineon N-Kanal, MOSFET, 433 A 30 V, 8 Ben, TDSON, OptiMOS™

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (5 enheder, i en pakke med 5)*

Kr. 162,91

(ekskl. moms)

Kr. 203,64

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 4.925 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 32,582Kr. 162,91
50 - 120Kr. 29,366Kr. 146,83
125 - 245Kr. 27,406Kr. 137,03
250 - 495Kr. 25,418Kr. 127,09
500 +Kr. 23,458Kr. 117,29

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
236-3643
Producentens varenummer:
BSC005N03LS5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

433A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

TDSON

Serie

OptiMOS™

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

5.5mΩ

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

59nC

Gennemgangsspænding Vf

1V

Effektafsættelse maks. Pd

188W

Portkildespænding maks.

20V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

1.1mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

6.35mm

Længde

5.49mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOSTM seriens MOSFET, 30 V maksimal drain source-spænding, 433 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSC005N03LS5ATMA1


Denne MOSFET er en højstrøms N-kanal-transistor, der er designet til overflademonteret effektkobling i krævende termiske miljøer. Den fungerer over et udvidet temperaturområde og er beregnet til anvendelser, der kræver lave ledningstab og en betydelig kontinuerlig drænstrømskapacitet, mens den er monteret i en TDSON-pakke.

Egenskaber og fordele:


• 433 A kontinuerlig afløbsstrøm muliggør omskiftning ved kraftig strøm
• 5.5 mΩ lav Rds(on) reducerer ledningstab under belastning
• 30 V mærkeværdi for drain-source muliggør moderate spændingstrin
• 188 W effekttab understøtter håndtering med høj effekt
• 59 nC gate-ladning muliggør forudsigelig planlægning af gate-driverenergi
• ±20 V maksimal gate-source-spænding giver en bred drevmargen

Anvendelser


• Velegnet til DC/DC-omformere og regulatorer med høj strømstyrke
• Ideel til serverstrømskinner og strømmoduler til telekommunikation
• Anvendes med motordrevstrin, der kræver høj kontinuerlig strøm
• Kan bruges til batteristyring og strømfordeling
• Velegnet til kompakte strømforsyningsenheder til overflademontering

Hvilke hensyn til emballagen påvirker termisk styring?


TDSON-pakken til overflademontering giver et lavprofilsaftryk og kræver passende kobberareal på printkort eller termiske ledninger for at sprede sin 188 W nominelle effekt effektivt inden for termiske begrænsninger på kortniveau.

Hvordan håndterer enheden barske omgivelsestemperaturer?


Den er specificeret til drift fra -55 °C til 175 °C, hvilket giver mulighed for brug over et bredt temperaturområde uden nedjustering til mange miljøer med høje temperaturer.

Hvilke krav til gate-driver skal overholdes?


Driftskredsløb skal holde gate-spændingen inden for ±20 V og tage højde for den samlede gate-ladning på 59 nC ved dimensionering af driverens spidsstrøm og koblingstimer.

Hvordan skal designere planlægge ledningsførings- og koblingstab?


Brug 5,5 mΩ Rds(on) til at anslå I^2R-ledningstab og inkluder energi til opladning af 59 nC-gate, når du beregner det samlede termiske og effektivitetsbudget.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.