Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 119 A 40 V N, 8 Ben, TDSON, OptiMOS Nej BSC026N04LSATMA1
- RS-varenummer:
- 218-2975
- Producentens varenummer:
- BSC026N04LSATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 15 enheder)*
Kr. 61,635
(ekskl. moms)
Kr. 77,04
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 4.620 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 15 + | Kr. 4,109 | Kr. 61,64 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-2975
- Producentens varenummer:
- BSC026N04LSATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 119A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.6mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 63W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 45nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 5.35mm | |
| Bredde | 6.1 mm | |
| Højde | 1.2mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 119A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype TDSON | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.6mΩ | ||
Kanalform N | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 63W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 45nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 5.35mm | ||
Bredde 6.1 mm | ||
Højde 1.2mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS™-seriens 40 V N-kanal effekt MOSFET. OptiMOS™ 40V er et perfekt valg til synkron ensretning i switched Mode strømforsyninger (SMPS), som f.eks. dem, der findes på servere og stationære computere. Derudover kan disse enheder bruges til en lang række industrielle anvendelser, herunder motorstyring og DC-DC-konverter med hurtigt skift.
100 % avalanche-testet
Fremragende termisk modstand
Blyfri forgyldning
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 119 A 40 V N TDSON, OptiMOS Nej
- Infineon Type N-Kanal 161 A 40 V N TDSON, OptiMOS Nej
- Infineon Type N-Kanal 161 A 40 V N TDSON, OptiMOS Nej BSC019N04LSATMA1
- Infineon Type N-Kanal 73 A 40 V N TDSON, OptiMOS 3 Nej
- Infineon Type N-Kanal 73 A 40 V N TDSON, OptiMOS 3 Nej BSC059N04LSGATMA1
- Infineon Type N-Kanal 275 A 40 V Forbedring TDSON, OptiMOS Nej
- Infineon Type N-Kanal 100 A 40 V Forbedring TDSON, OptiMOS Nej
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring TDSON, OptiMOS Nej
