Infineon N-Kanal, MOSFET, 119 A 40 V N, 8 Ben, TDSON, OptiMOS

RS-varenummer:: 218-2973
Producentens varenummer:: BSC026N04LSATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 119 A 40 V N, 8 Ben, TDSON, OptiMOS

Indhold (5000 enheder, på en rulle med 5000)*

Kr. 12.600,00

(ekskl. moms)

Kr. 15.750,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 07. oktober 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
5000 +	Kr. 2,52	Kr. 12.600,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 218-2973
Producentens varenummer:: BSC026N04LSATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	119A
	Drain source spænding maks. Vds	40V
	Serie	OptiMOS
	Emballagetype	TDSON
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	2.6mΩ
	Kanalform	N
	Gennemgangsspænding Vf	1V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	45nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	20V
	Effektafsættelse maks. Pd	63W
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	No
	Længde	5.35mm
	Højde	1.2mm
	Bredde	6.1mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 119A
	Drain source spænding maks. Vds 40V
	Serie OptiMOS
	Emballagetype TDSON
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 2.6mΩ
	Kanalform N
	Gennemgangsspænding Vf 1V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 45nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 20V
	Effektafsættelse maks. Pd 63W
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser No
	Længde 5.35mm
	Højde 1.2mm
	Bredde 6.1mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - BSC026N04LSATMA1

Infineon OptiMOS seriens MOSFET, 40 V maksimal drain source-spænding, 119 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSC026N04LSATMA1

Denne MOSFET er en højstrøms N-kanal-transistor, der er designet til effektkobling i overflademonterede systemer, hvilket giver kontrolleret ledning til DC-DC-konvertering og lignende strømstyringsopgaver under brede driftsforhold.

Egenskaber og fordele:

• Maksimal drain-source-spænding understøtter 40 V systemdrift
• Meget lav modstand ved tænding reducerer ledningstab på 2.6 mΩ
• Kontinuerlig mærkestrøm giver mulighed for vedvarende belastningshåndtering på 119 A
• Typisk gate-ladning på 45 nC minimerer koblingsenergi og forsinkelse
• Effekttabskapacitet muliggør 63 W termisk håndtering under drift
• Gate-source-modstandsdygtighed op til 20 V for robust drevmargin

Anvendelser

• Velegnet til DC/DC-omformere med høj strømstyrke i strømforsyninger
• Ideel til koblingstrin i strømmoduler til biler
• Anvendes til motordriver-halvbroer, der kræver lavt ledningstab
• Kan bruges til højeffektiv synkron ensretning
• Velegnet til kompakte strømforsyningsenheder til overflademontering

Hvilket temperaturområde kan den fungere pålideligt inden for?

Den er specificeret til at fungere mellem -55 °C og 150 °C for udvidede termiske margener.

Hvilken pakke og monteringsmetode anvendes til kompakte design?

Den leveres i en 8-benet TDSON-pakke, der er beregnet til overflademontering.

Hvordan påvirker dens fremadgående spænding designet af effekttrin?

Den fremadrettede spænding på 1 V skal tages i betragtning ved beregning af ledningstab og valg af gate-drive-niveauer.

Hvilken kanal og ledningstilstand bruger enheden?

Den anvender en N-type kanal, der fungerer i forstærkning tilstand til standard MOSFET skifteadfærd.