Infineon N-Kanal, MOSFET, 433 A 30 V, 8 Ben, TDSON, OptiMOS™

RS-varenummer:: 236-3642
Producentens varenummer:: BSC005N03LS5ATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 433 A 30 V, 8 Ben, TDSON, OptiMOS™

Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*

Kr. 27.680,00

(ekskl. moms)

Kr. 34.600,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 15. april 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
5000 +	Kr. 5,536	Kr. 27.680,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 236-3642
Producentens varenummer:: BSC005N03LS5ATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	433A
	Drain source spænding maks. Vds	30V
	Emballagetype	TDSON
	Serie	OptiMOS™
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	5.5mΩ
	Gennemgangsspænding Vf	1V
	Portkildespænding maks.	20V
	Effektafsættelse maks. Pd	188W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	59nC
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Bredde	6.35mm
	Længde	5.49mm
	Standarder/godkendelser	No
	Højde	1.1mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 433A
	Drain source spænding maks. Vds 30V
	Emballagetype TDSON
	Serie OptiMOS™
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 5.5mΩ
	Gennemgangsspænding Vf 1V
	Portkildespænding maks. 20V
	Effektafsættelse maks. Pd 188W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 59nC
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Bredde 6.35mm
	Længde 5.49mm
	Standarder/godkendelser No
	Højde 1.1mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - BSC005N03LS5ATMA1

Infineon OptiMOSTM seriens MOSFET, 30 V maksimal drain source-spænding, 433 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSC005N03LS5ATMA1

Denne MOSFET er en højstrøms N-kanal-transistor, der er designet til overflademonteret effektkobling i krævende termiske miljøer. Den fungerer over et udvidet temperaturområde og er beregnet til anvendelser, der kræver lave ledningstab og en betydelig kontinuerlig drænstrømskapacitet, mens den er monteret i en TDSON-pakke.

Egenskaber og fordele:

• 433 A kontinuerlig afløbsstrøm muliggør omskiftning ved kraftig strøm
• 5.5 mΩ lav Rds(on) reducerer ledningstab under belastning
• 30 V mærkeværdi for drain-source muliggør moderate spændingstrin
• 188 W effekttab understøtter håndtering med høj effekt
• 59 nC gate-ladning muliggør forudsigelig planlægning af gate-driverenergi
• ±20 V maksimal gate-source-spænding giver en bred drevmargen

Anvendelser

• Velegnet til DC/DC-omformere og regulatorer med høj strømstyrke
• Ideel til serverstrømskinner og strømmoduler til telekommunikation
• Anvendes med motordrevstrin, der kræver høj kontinuerlig strøm
• Kan bruges til batteristyring og strømfordeling
• Velegnet til kompakte strømforsyningsenheder til overflademontering

Hvilke hensyn til emballagen påvirker termisk styring?

TDSON-pakken til overflademontering giver et lavprofilsaftryk og kræver passende kobberareal på printkort eller termiske ledninger for at sprede sin 188 W nominelle effekt effektivt inden for termiske begrænsninger på kortniveau.

Hvordan håndterer enheden barske omgivelsestemperaturer?

Den er specificeret til drift fra -55 °C til 175 °C, hvilket giver mulighed for brug over et bredt temperaturområde uden nedjustering til mange miljøer med høje temperaturer.

Hvilke krav til gate-driver skal overholdes?

Driftskredsløb skal holde gate-spændingen inden for ±20 V og tage højde for den samlede gate-ladning på 59 nC ved dimensionering af driverens spidsstrøm og koblingstimer.

Hvordan skal designere planlægge ledningsførings- og koblingstab?

Brug 5,5 mΩ Rds(on) til at anslå I^2R-ledningstab og inkluder energi til opladning af 59 nC-gate, når du beregner det samlede termiske og effektivitetsbudget.