Infineon N-Kanal, MOSFET, 479 A 25 V, 8 Ben, TDSON, OptiMOS™

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 147,73

(ekskl. moms)

Kr. 184,66

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 4.970 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 29,546Kr. 147,73
50 - 120Kr. 26,03Kr. 130,15
125 - 245Kr. 24,236Kr. 121,18
250 - 495Kr. 22,77Kr. 113,85
500 +Kr. 21,018Kr. 105,09

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
236-3641
Producentens varenummer:
BSC004NE2LS5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

479A

Drain source spænding maks. Vds

25V

Serie

OptiMOS™

Emballagetype

TDSON

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.45mΩ

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

188W

Gennemgangsspænding Vf

1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

135nC

Portkildespænding maks.

20V

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

6.35mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.1mm

Længde

5.49mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOSTM seriens MOSFET, 25 V maksimal drain source-spænding, 479 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSC004NE2LS5ATMA1


Denne MOSFET er en højstrøms-N-kanal-halvleder, der er designet til overflademonteret effektkobling i krævende termiske miljøer. Den fungerer over et udvidet temperaturområde og er beregnet til anvendelser, der kræver betydelig kontinuerlig afløbsstrøm og lave ledningstab, mens den er monteret i en TDSON-pakke.

Egenskaber og fordele:


• 479A kontinuerlig afløbsstrøm reducerer ledningsbegrænsninger ved høje belastninger
• 0.45 mΩ maksimal RDS(on) sænker energitabet i tændt tilstand
• 25 V maksimal drain-source-spænding muliggør lavspændingstrin
• 188 W maks. effekttab understøtter forøget termisk belastning
• 135 nC typisk gate-ladning muliggør kontrolleret omskiftning til gate-drive-design
• 20 V maksimal gate-source-spænding muliggør robuste gate-drive-margener

Anvendelser


• Velegnet til DC-strømfordelingsmoduler med høj strømstyrke
• Ideel til synkron ensretning i lavspændingskonvertere
• Anvendes sammen med motoromformertrin, der kræver høje spidsstrømme
• Kan bruges til batteristyring og højeffektsceller
• Anvendes til effekttrin i telekommunikationsensrettere

Hvilke omgivelsestemperaturer kan den tåle?


Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 175 °C.

Hvilken pakke og monteringstype bruger den?


Den leveres i en TDSON-pakke til overflademontering.

Hvordan påvirker dens krav til gate-driver designet?


135 nC gate-ladningen kræver en driver på størrelse med højere ladningsoverførsel for at opfylde den ønskede skiftehastighed og tab.

Hvilken kanalpolaritet anvender den, og hvordan påvirker det anvendelsen?


Den bruger en N-kanaltopologi, som er velegnet til lav-side-switching og synkrone ensretterkonfigurationer.

Hvilke spændings- og strømgrænser skal overholdes under konstruktionen?


Designet skal overholde en maksimal drain-source-spænding på 25 V og en maksimal kontinuerlig drain-strøm på 479 A.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.