Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 479 A 25 V, 8 Ben, TDSON, OptiMOS™ Nej BSC004NE2LS5ATMA1

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 90,68

(ekskl. moms)

Kr. 113,35

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 4.990 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 18,136Kr. 90,68
50 - 120Kr. 15,962Kr. 79,81
125 - 245Kr. 14,87Kr. 74,35
250 - 495Kr. 13,972Kr. 69,86
500 +Kr. 12,88Kr. 64,40

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
236-3641
Producentens varenummer:
BSC004NE2LS5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

479A

Drain source spænding maks. Vds

25V

Emballagetype

TDSON

Serie

OptiMOS™

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.45mΩ

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1V

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

188W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

135nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

6.35 mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.1mm

Længde

5.49mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS Power MOSFET tilbyder benchmarkløsninger ved at muliggøre den højeste effekttæthed og energieffektivitet, både i standby og fuld drift. Den har en on-state modstand på 0.45 m ohm.

Højeste effektivitet

Højeste effekttæthed i SuperSO8-hus

Reduktion af de samlede systemomkostninger

I overensstemmelse med RoHS

Halogenfri

Relaterede links