Infineon N-Kanal, MOSFET, 479 A 25 V, 8 Ben, TDSON, OptiMOS™

RS-varenummer:: 236-3639
Producentens varenummer:: BSC004NE2LS5ATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 479 A 25 V, 8 Ben, TDSON, OptiMOS™

Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*

Kr. 28.875,00

(ekskl. moms)

Kr. 36.095,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 08. oktober 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
5000 +	Kr. 5,775	Kr. 28.875,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 236-3639
Producentens varenummer:: BSC004NE2LS5ATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	479A
	Drain source spænding maks. Vds	25V
	Emballagetype	TDSON
	Serie	OptiMOS™
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	0.45mΩ
	Portkildespænding maks.	20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	135nC
	Effektafsættelse maks. Pd	188W
	Gennemgangsspænding Vf	1V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Bredde	6.35mm
	Standarder/godkendelser	No
	Højde	1.1mm
	Længde	5.49mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 479A
	Drain source spænding maks. Vds 25V
	Emballagetype TDSON
	Serie OptiMOS™
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 0.45mΩ
	Portkildespænding maks. 20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 135nC
	Effektafsættelse maks. Pd 188W
	Gennemgangsspænding Vf 1V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Bredde 6.35mm
	Standarder/godkendelser No
	Højde 1.1mm
	Længde 5.49mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - BSC004NE2LS5ATMA1

Infineon OptiMOSTM seriens MOSFET, 25 V maksimal drain source-spænding, 479 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSC004NE2LS5ATMA1

Denne MOSFET er en højstrøms-N-kanal-halvleder, der er designet til overflademonteret effektkobling i krævende termiske miljøer. Den fungerer over et udvidet temperaturområde og er beregnet til anvendelser, der kræver betydelig kontinuerlig afløbsstrøm og lave ledningstab, mens den er monteret i en TDSON-pakke.

Egenskaber og fordele:

• 479A kontinuerlig afløbsstrøm reducerer ledningsbegrænsninger ved høje belastninger
• 0.45 mΩ maksimal RDS(on) sænker energitabet i tændt tilstand
• 25 V maksimal drain-source-spænding muliggør lavspændingstrin
• 188 W maks. effekttab understøtter forøget termisk belastning
• 135 nC typisk gate-ladning muliggør kontrolleret omskiftning til gate-drive-design
• 20 V maksimal gate-source-spænding muliggør robuste gate-drive-margener

Anvendelser

• Velegnet til DC-strømfordelingsmoduler med høj strømstyrke
• Ideel til synkron ensretning i lavspændingskonvertere
• Anvendes sammen med motoromformertrin, der kræver høje spidsstrømme
• Kan bruges til batteristyring og højeffektsceller
• Anvendes til effekttrin i telekommunikationsensrettere

Hvilke omgivelsestemperaturer kan den tåle?

Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 175 °C.

Hvilken pakke og monteringstype bruger den?

Den leveres i en TDSON-pakke til overflademontering.

Hvordan påvirker dens krav til gate-driver designet?

135 nC gate-ladningen kræver en driver på størrelse med højere ladningsoverførsel for at opfylde den ønskede skiftehastighed og tab.

Hvilken kanalpolaritet anvender den, og hvordan påvirker det anvendelsen?

Den bruger en N-kanaltopologi, som er velegnet til lav-side-switching og synkrone ensretterkonfigurationer.

Hvilke spændings- og strømgrænser skal overholdes under konstruktionen?

Designet skal overholde en maksimal drain-source-spænding på 25 V og en maksimal kontinuerlig drain-strøm på 479 A.