Infineon N-Kanal, MOSFET, 9,3 A 30 V, 8 ben, SOIC, OptiMOS™ BSO150N03MDGXUMA1

Se alle MOSFET
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
RS-varenummer:
145-9453
Producentens varenummer:
BSO150N03MDGXUMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

9,3 A

Drain source spænding maks.

30 V

Kapslingstype

SOIC

Serie

OptiMOS™

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

8

Drain source modstand maks.

18,2 mΩ

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

2V

Mindste tærskelspænding for port

1V

Effektafsættelse maks.

2 W

Transistorkonfiguration

Isoleret

Gate source spænding maks.

-20 V, +20 V

Antal elementer per chip

2

Bredde

4mm

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Gate-ladning ved Vgs typisk

6,1 nC ved 4,5 V

Transistormateriale

Si

Længde

5mm

Driftstemperatur min.

-55 °C

Højde

1.65mm

Infineon OptiMOS™ Dual MOSFET



MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links