Infineon N-Kanal, MOSFET, 100 A 100 V, 3 ben, TO-220, OptiMOS™ 2 IPP05CN10NGXKSA1

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om denne vare kommer på lager igen – den er ved at blive udfaset af producenten
RS-varenummer:
165-8135
Producentens varenummer:
IPP05CN10NGXKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

100 A

Drain source spænding maks.

100 V

Kapslingstype

TO-220

Serie

OptiMOS™ 2

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks.

5,4 mΩ

Kanalform

Enhancement

Effektafsættelse maks.

300 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

-20 V, +20 V

Driftstemperatur maks.

+175 °C

Antal elementer per chip

1

Længde

10.36mm

Bredde

4.57mm

Gate-ladning ved Vgs typisk

136 nC ved 10 V

Transistormateriale

Si

Højde

15.95mm

Gennemgangsspænding for diode

1.2V

Driftstemperatur min.

-55 °C

COO (Country of Origin):
MY

Infineon OptiMOS™2 Power MOSFET serien


Infineons OptiMOS™2 N-kanal-serie har branchens laveste modstand i ledetilstand inden for deres spændingsgruppe. Power MOSFET serien kan bruges til mange formål herunder højfrekvent telekommunikation, datakommunikation, solceller, lavvolts-drev og server-strømforsyninger. OptiMOS 2 produktserien dækker fra 20 V og derover samt har et udvalg af forskellige hustyper.


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links