Infineon N-Kanal, MOSFET, 80 A 100 V, 3 ben, TO-220, OptiMOS™ 3 IPP072N10N3GXKSA1

Se alle MOSFET
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
RS-varenummer:
145-8635
Producentens varenummer:
IPP072N10N3GXKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

80 A

Drain source spænding maks.

100 V

Serie

OptiMOS™ 3

Kapslingstype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks.

7,2 mΩ

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

3.5V

Mindste tærskelspænding for port

2V

Effektafsættelse maks.

150 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

-20 V, +20 V

Driftstemperatur maks.

+175 °C

Transistormateriale

Si

Længde

10.36mm

Gate-ladning ved Vgs typisk

51 nC ved 10 V

Antal elementer per chip

1

Bredde

15.95mm

Højde

4.57mm

Driftstemperatur min.

-55 °C

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, 100 V og derover


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links