Infineon N-Kanal, MOSFET, 100 A 120 V, 3 ben, TO-220, OptiMOS™ 3 IPP048N12N3GXKSA1

Se alle MOSFET
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
RS-varenummer:
145-8728
Producentens varenummer:
IPP048N12N3GXKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

100 A

Drain source spænding maks.

120 V

Kapslingstype

TO-220

Serie

OptiMOS™ 3

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks.

4,8 mΩ

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

4V

Mindste tærskelspænding for port

2V

Effektafsættelse maks.

300 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

-20 V, +20 V

Transistormateriale

Si

Driftstemperatur maks.

+175 °C

Antal elementer per chip

1

Længde

10.36mm

Bredde

4.57mm

Gate-ladning ved Vgs typisk

137 nC ved 10 V

Gennemgangsspænding for diode

1.2V

Driftstemperatur min.

-55 °C

Højde

15.95mm

COO (Country of Origin):
CN

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, 100 V og derover



MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links