Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 237 A 120 V, 8 Ben, HSOF-8, OptiMOS™

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 29.872,00

(ekskl. moms)

Kr. 37.340,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 01. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2000 +Kr. 14,936Kr. 29.872,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
236-3669
Producentens varenummer:
IPT030N12N3GATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

237A

Drain source spænding maks. Vds

120V

Emballagetype

HSOF-8

Serie

OptiMOS™

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

3mΩ

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

158nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

375W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

2.4mm

Bredde

10.58 mm

Længde

10.1mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS effekt MOSFET er den ideelle pasform til batteridrevet udstyr med optimal balance mellem ekstra spændingsanalyse og lav modstand i tændt tilstand. Den bruges i lette elektriske køretøjer, lavspændingsdrev og batteridrevet værktøj.

Høj effekttæthed og forbedret termisk styring

Mindre plads på kortet

Høj systemeffektivitet og mindre behov for parallelkobling

Relaterede links