Infineon N-Kanal, MOSFET, 237 A 120 V, 8 Ben, HSOF-8, OptiMOS™
- RS-varenummer:
- 236-3669
- Producentens varenummer:
- IPT030N12N3GATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*
Kr. 29.872,00
(ekskl. moms)
Kr. 37.340,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 11. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2000 + | Kr. 14,936 | Kr. 29.872,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 236-3669
- Producentens varenummer:
- IPT030N12N3GATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 237A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 120V | |
| Emballagetype | HSOF-8 | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 375W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 158nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 10.58mm | |
| Længde | 10.1mm | |
| Højde | 2.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 237A | ||
Drain source spænding maks. Vds 120V | ||
Emballagetype HSOF-8 | ||
Serie OptiMOS™ | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 375W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 158nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 10.58mm | ||
Længde 10.1mm | ||
Højde 2.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS effekt MOSFET er den ideelle pasform til batteridrevet udstyr med optimal balance mellem ekstra spændingsanalyse og lav modstand i tændt tilstand. Den bruges i lette elektriske køretøjer, lavspændingsdrev og batteridrevet værktøj.
Høj effekttæthed og forbedret termisk styring
Mindre plads på kortet
Høj systemeffektivitet og mindre behov for parallelkobling