Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 237 A 120 V, 8 Ben, HSOF-8, OptiMOS™ Nej IPT030N12N3GATMA1

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 29.872,00

(ekskl. moms)

Kr. 37.340,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 12. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2000 +Kr. 14,936Kr. 29.872,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
236-3669
Producentens varenummer:
IPT030N12N3GATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

237A

Drain source spænding maks. Vds

120V

Serie

OptiMOS™

Emballagetype

HSOF-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

3mΩ

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

375W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

158nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

10.58 mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

2.4mm

Længde

10.1mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS effekt MOSFET er den ideelle pasform til batteridrevet udstyr med optimal balance mellem ekstra spændingsanalyse og lav modstand i tændt tilstand. Den bruges i lette elektriske køretøjer, lavspændingsdrev og batteridrevet værktøj.

Høj effekttæthed og forbedret termisk styring

Mindre plads på kortet

Høj systemeffektivitet og mindre behov for parallelkobling

Relaterede links