Infineon N-Kanal, MOSFET, 237 A 120 V, 8 Ben, HSOF-8, OptiMOS™

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 92,00

(ekskl. moms)

Kr. 115,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 1.872 enhed(er) afsendes fra 12. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 46,00Kr. 92,00
20 - 48Kr. 41,475Kr. 82,95
50 - 98Kr. 38,595Kr. 77,19
100 - 198Kr. 35,905Kr. 71,81
200 +Kr. 33,585Kr. 67,17

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
236-3670
Producentens varenummer:
IPT030N12N3GATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

237A

Drain source spænding maks. Vds

120V

Emballagetype

HSOF-8

Serie

OptiMOS™

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

3mΩ

Effektafsættelse maks. Pd

375W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

158nC

Portkildespænding maks.

20V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

2.4mm

Bredde

10.58mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

10.1mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS effekt MOSFET er den ideelle pasform til batteridrevet udstyr med optimal balance mellem ekstra spændingsanalyse og lav modstand i tændt tilstand. Den bruges i lette elektriske køretøjer, lavspændingsdrev og batteridrevet værktøj.

Høj effekttæthed og forbedret termisk styring

Mindre plads på kortet

Høj systemeffektivitet og mindre behov for parallelkobling

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.