Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 237 A 120 V, 8 Ben, HSOF-8, OptiMOS™

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 75,55

(ekskl. moms)

Kr. 94,438

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.872 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 37,775Kr. 75,55
20 - 48Kr. 34,07Kr. 68,14
50 - 98Kr. 31,715Kr. 63,43
100 - 198Kr. 29,47Kr. 58,94
200 +Kr. 27,60Kr. 55,20

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
236-3670
Producentens varenummer:
IPT030N12N3GATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

237A

Drain source spænding maks. Vds

120V

Serie

OptiMOS™

Emballagetype

HSOF-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

3mΩ

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

158nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

375W

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

10.1mm

Højde

2.4mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

10.58 mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS effekt MOSFET er den ideelle pasform til batteridrevet udstyr med optimal balance mellem ekstra spændingsanalyse og lav modstand i tændt tilstand. Den bruges i lette elektriske køretøjer, lavspændingsdrev og batteridrevet værktøj.

Høj effekttæthed og forbedret termisk styring

Mindre plads på kortet

Høj systemeffektivitet og mindre behov for parallelkobling

Relaterede links