Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 314 A 120 V Forbedring, 8 Ben, PG-HSOF-8-1, OptiMOS
- RS-varenummer:
- 284-669
- Producentens varenummer:
- IAUTN12S5N017ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 80,71
(ekskl. moms)
Kr. 100,888
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 07. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 40,355 | Kr. 80,71 |
| 20 - 198 | Kr. 36,355 | Kr. 72,71 |
| 200 - 998 | Kr. 33,51 | Kr. 67,02 |
| 1000 + | Kr. 31,115 | Kr. 62,23 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 284-669
- Producentens varenummer:
- IAUTN12S5N017ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 314A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 120V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | PG-HSOF-8-1 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 358W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 314A | ||
Drain source spænding maks. Vds 120V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype PG-HSOF-8-1 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 358W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS 5 power MOSFET til bilindustrien er konstrueret til robust ydeevne i krævende applikationer. Med OptiMOS 5-teknologi udmærker den sig i effektivitet og pålidelighed, hvilket gør den til et ideelt valg til løsninger til strømstyring i biler. Dens struktur med N-kanalforbedringstilstand leverer funktionalitet på højt niveau, samtidig med at den overholder strenge industristandarder. Denne effekttransistor er designet til at modstå ekstreme forhold og sikrer drift op til 175 °C og har en udvidet kvalifikation ud over AEC Q101.
Optimeret til kompatibilitet med biler
Forbedret testning sikrer pålidelig ydeevne
Robust design med avanceret termisk styring
Mærkeværdi MSL1 understøtter 260 °C peak reflow
RoHS-kompatibel for miljøvenlige initiativer
Lavinetest bekræfter modstandsdygtighed over for transienter
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 314 A 120 V Forbedring PG-HSOF-8-1, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 331 A 120 V Forbedring PG-HSOF-8, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 510 A 60 V Forbedring PG-HSOF-8-1, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 200 A 80 V Forbedring PG-HSOF, OptiMOS 5 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 60 A 600 V Forbedring PG-HSOF-8, OptiMOS 6 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 290 A 40 V Forbedring PG-HSOF-5-2, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 8 A 600 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon Type N-Kanal 300 A 60 V Forbedring HSOF, OptiMOS 5