Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 300 A 60 V Forbedring, 8 Ben, HSOF, OptiMOS 5 Nej IPT007N06NATMA1
- RS-varenummer:
- 906-4407
- Producentens varenummer:
- IPT007N06NATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 65,05
(ekskl. moms)
Kr. 81,312
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 3.338 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 32,525 | Kr. 65,05 |
| 10 - 18 | Kr. 29,24 | Kr. 58,48 |
| 20 - 48 | Kr. 27,645 | Kr. 55,29 |
| 50 - 98 | Kr. 25,66 | Kr. 51,32 |
| 100 + | Kr. 23,745 | Kr. 47,49 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 906-4407
- Producentens varenummer:
- IPT007N06NATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 300A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | HSOF | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 216nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 375W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.58mm | |
| Højde | 2.4mm | |
| Bredde | 10.1 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 300A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype HSOF | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 216nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 375W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.58mm | ||
Højde 2.4mm | ||
Bredde 10.1 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
RoHS Status: Undtaget
Infineon OptiMOS™5 Power MOSFET'er
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 300 A 60 V HSOF-8, OptiMOS™ 5 IPT007N06NATMA1
- Infineon N-Kanal 300 A 30 V HSOF-8, OptiMOS™ IPT004N03LATMA1
- Infineon N-Kanal 300 A 100 V HSOF-8, OptiMOS™ 5 IAUT300N10S5N015ATMA1
- Infineon N-Kanal 300 A 80 V HSOF-8, OptiMOS™ 5 IAUT300N08S5N012ATMA2
- Infineon N-Kanal 300 A 100 V HSOF-8, OptiMOS™ 5 IPT015N10N5ATMA1
- Infineon N-Kanal 300 A 100 V HSOF-8, OptiMOS™ 3 IPT020N10N3ATMA1
- Infineon N-Kanal 237 A 120 V HSOF-8, OptiMOS™ IPT030N12N3GATMA1
- Infineon N-Kanal 260 A 100 V HSOF-8, OptiMOS™ 5 IAUT260N10S5N019ATMA1
