Infineon N-Kanal, MOSFET, 300 A 100 V Forbedring, 8 Ben, HSOF, OptiMOS 5

RS-varenummer:: 214-4346
Producentens varenummer:: IAUT300N10S5N015ATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 300 A 100 V Forbedring, 8 Ben, HSOF, OptiMOS 5

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 35.006,00

(ekskl. moms)

Kr. 43.758,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 09. april 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
2000 +	Kr. 17,503	Kr. 35.006,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 214-4346
Producentens varenummer:: IAUT300N10S5N015ATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	300A
	Drain source spænding maks. Vds	100V
	Serie	OptiMOS 5
	Emballagetype	HSOF
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	1.5mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	166nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	375W
	Portkildespænding maks.	20V
	Gennemgangsspænding Vf	1.3V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 300A
	Drain source spænding maks. Vds 100V
	Serie OptiMOS 5
	Emballagetype HSOF
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 1.5mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 166nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 375W
	Portkildespænding maks. 20V
	Gennemgangsspænding Vf 1.3V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon OptiMOS 5 seriens MOSFET, 100 V maksimal drain source-spænding, 300 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IAUT300N10S5N015ATMA1

Denne MOSFET er en højtydende N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til krævende switching- og strømkonverteringsroller. Den fungerer over et bredt temperaturområde, der er velegnet til barske forhold, og er pakket til overflademontering i et industristandard HSOF-fodaftryk, hvilket giver lavt fremadgående fald for effektiv ledning i kredsløb med høj strømstyrke.

Egenskaber og fordele:

• 100 V drain-kapacitet muliggør omskiftning ved højere spænding
• 1.5 mΩ lav Rds(on) reducerer ledningstab under høje strømme
• 300 A kontinuerlig strøm understøtter anvendelser med kraftig belastning
• 375 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastning
• 166 nC gate-opladning balancerer krav til skiftehastighed og drev
• 1,3 V fremadgående spænding begrænser spændingsfald under belastning

Anvendelser

• Velegnet til effektomformere og invertere med høj strømstyrke
• Ideel til trækkraft- og motordrevfaser i effektelektronik
• Anvendes til højtydende DC-DC-konvertere i industrielle systemer
• Kan bruges til halvlederstrømfordelingsmoduler
• Velegnet til hurtige skiftetrin i serverstrømforsyninger

Hvilken gate-drive-styrke kræves der for effektiv omskiftning?

Forvent gate-drivere, der er i stand til at forsyne og sænke tilstrækkelig strøm til at oplade 166 nC inden for dit målrettede koblingsinterval

langsommere drev øger koblingstab.

Hvordan håndterer enheden høje forbindelsestemperaturer?

Den er normeret til drift fra -55 °C op til 175 °C, hvilket giver mulighed for brug i miljøer med høje temperaturer, når der anvendes passende termisk styring.

Hvilke monteringshensyn er vigtige for termisk ydeevne?

HSOF til overflademontering kræver en veludviklet PCB termisk jord- og varmeafledningsstrategi til at sprede op til 375 W effekt under kraftige opgaver.

Hvordan påvirker kanalkonfigurationen kredsløbsdesignet?

Som en N-kanal-forbedringsenhed er den velegnet til lav-side-switching eller synkrone ensretningsarrangementer, hvor gate-referencen er tæt på kildepotentialet.