Infineon N-Kanal, MOSFET, 300 A 100 V Forbedring, 8 Ben, HSOF, OptiMOS 5

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 84,37

(ekskl. moms)

Kr. 105,46

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 22 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 8Kr. 42,185Kr. 84,37
10 - 18Kr. 37,55Kr. 75,10
20 - 48Kr. 35,005Kr. 70,01
50 - 98Kr. 32,50Kr. 65,00
100 +Kr. 30,37Kr. 60,74

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
214-4347
Producentens varenummer:
IAUT300N10S5N015ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

300A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

HSOF

Serie

OptiMOS 5

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

1.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

375W

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

166nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS 5 seriens MOSFET, 100 V maksimal drain source-spænding, 300 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IAUT300N10S5N015ATMA1


Denne MOSFET er en højtydende N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til krævende switching- og strømkonverteringsroller. Den fungerer over et bredt temperaturområde, der er velegnet til barske forhold, og er pakket til overflademontering i et industristandard HSOF-fodaftryk, hvilket giver lavt fremadgående fald for effektiv ledning i kredsløb med høj strømstyrke.

Egenskaber og fordele:


• 100 V drain-kapacitet muliggør omskiftning ved højere spænding
• 1.5 mΩ lav Rds(on) reducerer ledningstab under høje strømme
• 300 A kontinuerlig strøm understøtter anvendelser med kraftig belastning
• 375 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastning
• 166 nC gate-opladning balancerer krav til skiftehastighed og drev
• 1,3 V fremadgående spænding begrænser spændingsfald under belastning

Anvendelser


• Velegnet til effektomformere og invertere med høj strømstyrke
• Ideel til trækkraft- og motordrevfaser i effektelektronik
• Anvendes til højtydende DC-DC-konvertere i industrielle systemer
• Kan bruges til halvlederstrømfordelingsmoduler
• Velegnet til hurtige skiftetrin i serverstrømforsyninger

Hvilken gate-drive-styrke kræves der for effektiv omskiftning?


Forvent gate-drivere, der er i stand til at forsyne og sænke tilstrækkelig strøm til at oplade 166 nC inden for dit målrettede koblingsinterval

langsommere drev øger koblingstab.

Hvordan håndterer enheden høje forbindelsestemperaturer?


Den er normeret til drift fra -55 °C op til 175 °C, hvilket giver mulighed for brug i miljøer med høje temperaturer, når der anvendes passende termisk styring.

Hvilke monteringshensyn er vigtige for termisk ydeevne?


HSOF til overflademontering kræver en veludviklet PCB termisk jord- og varmeafledningsstrategi til at sprede op til 375 W effekt under kraftige opgaver.

Hvordan påvirker kanalkonfigurationen kredsløbsdesignet?


Som en N-kanal-forbedringsenhed er den velegnet til lav-side-switching eller synkrone ensretningsarrangementer, hvor gate-referencen er tæt på kildepotentialet.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.