Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 300 A 100 V Forbedring, 8 Ben, HSOF, OptiMOS 3 Nej IPT020N10N3ATMA1

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 104,12

(ekskl. moms)

Kr. 130,16

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.602 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 +Kr. 52,06Kr. 104,12

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
906-4356
Producentens varenummer:
IPT020N10N3ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

300A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

HSOF

Serie

OptiMOS 3

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

3.7mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

375W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

156nC

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

2.4mm

Bredde

10.1 mm

Længde

10.58mm

Bilindustristandarder

Nej

RoHS Status: Undtaget

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, 100 V og derover


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links