Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 300 A 100 V Forbedring, 8 Ben, HSOF, OptiMOS 3

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 76,67

(ekskl. moms)

Kr. 95,838

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.598 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 +Kr. 38,335Kr. 76,67

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
906-4356
Producentens varenummer:
IPT020N10N3ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

300A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

OptiMOS 3

Emballagetype

HSOF

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

3.7mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

156nC

Effektafsættelse maks. Pd

375W

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

2.4mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

10.58mm

Bilindustristandarder

Nej

RoHS Status: Undtaget

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, 100 V og derover


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.