Infineon N-Kanal, MOSFET, 300 A 60 V Forbedring, 8 Ben, HSOF, OptiMOS 5

RS-varenummer:: 178-7451
Producentens varenummer:: IPT007N06NATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 300 A 60 V Forbedring, 8 Ben, HSOF, OptiMOS 5

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 36.892,00

(ekskl. moms)

Kr. 46.116,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

2.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
2000 +	Kr. 18,446	Kr. 36.892,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 178-7451
Producentens varenummer:: IPT007N06NATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	300A
	Drain source spænding maks. Vds	60V
	Emballagetype	HSOF
	Serie	OptiMOS 5
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	1mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	216nC
	Effektafsættelse maks. Pd	375W
	Gennemgangsspænding Vf	1V
	Portkildespænding maks.	-20V, +20V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Længde	10.58mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	10.1mm
	Højde	2.4mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 300A
	Drain source spænding maks. Vds 60V
	Emballagetype HSOF
	Serie OptiMOS 5
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 1mΩ
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 216nC
	Effektafsættelse maks. Pd 375W
	Gennemgangsspænding Vf 1V
	Portkildespænding maks. -20V, +20V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Længde 10.58mm
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 10.1mm
	Højde 2.4mm
	Bilindustristandarder Nej

IPT007N06N OptiMOS Power-Transistor, 60 V

RoHS Status: Undtaget

Infineon OptiMOS 5 seriens MOSFET, 60 V maksimal drain source-spænding, 300 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPT007N06NATMA1

Denne MOSFET er en højstrøms N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til strømswitching i krævende elektroniske systemer. Den fungerer over et bredt temperaturområde, der er velegnet til barske miljøer, og leveres i et overflademonteret HSOF-hus for at understøtte kompakte kortlayouter og effektiv termisk styring.

Egenskaber og fordele:

• 60 V mærkeværdi for afløb, der muliggør mellemspændingsstrømdesign
• 300 A kontinuerlig strømhåndtering til omskiftning under kraftig belastning
• 1 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab i stier med høj strømstyrke
• 375 W effekttab muliggør vedvarende drift med høj effekt
• 216 nC typisk portladning til forudsigelige krav til portdrev
• ±20 V gate-tolerance understøtter robuste gate-drive-transienter

Anvendelser

• Velegnet til server- og datacenterstrømkonverteringsfaser
• Ideel til motordrev inverterudgangstrin
• Anvendes til synkron ensretning med høj strømstyrke i PSU'er
• Kan bruges til DC/DC-omformere i telekommunikationsudstyr
• Velegnet til industriel strømstyring og drev

Hvilke termiske grænser skal designere overveje for kontinuerlig drift?

Enheden er normeret til at sprede op til 375 W

Designere skal sikre tilstrækkelig printkobber, termiske ledninger eller varmeafledning for at holde forbindelsestemperaturen inden for acceptable grænser på grund af systemets effekttab.

Hvordan påvirker gate-ladning valg af drevkredsløb?

Med en typisk gate-ladning på 216 nC skal gate-drivere levere tilstrækkelig spidsstrøm og skiftehastighed for at opnå de ønskede overgangstider og samtidig håndtere skiftetab og EMI.

Hvilke detaljer om enhedens mekaniske montering og antal ben er der?

Den leveres i en HSOF-pakke til overflademontering med otte ben, hvilket muliggør forbindelser på kortniveau med lav induktans til stier med høj strømstyrke.

Hvilket driftstemperaturområde kan forventes i systemdesign?

Komponenten er specificeret til drift fra -55 °C op til 175 °C, hvilket giver mulighed for brug i termisk udfordrende miljøer, når der anvendes passende termiske designpraksiser.