Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 300 A 30 V Forbedring, 9 Ben, HSOF, OptiMOS Nej
- RS-varenummer:
- 168-5941
- Producentens varenummer:
- IPT004N03LATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*
Kr. 37.894,00
(ekskl. moms)
Kr. 47.368,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 8.000 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2000 + | Kr. 18,947 | Kr. 37.894,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-5941
- Producentens varenummer:
- IPT004N03LATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 300A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | HSOF | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 9 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 500μΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 252nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.1mm | |
| Højde | 2.4mm | |
| Bredde | 10.58 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 300A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype HSOF | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 9 | ||
Drain source modstand maks. Rds 500μΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 252nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.1mm | ||
Højde 2.4mm | ||
Bredde 10.58 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon OptiMOS™ mosfet serien
OptiMOS™ produkter findes i højtydende pakker til at løse de mest krævende opgaver, og de giver fuld fleksibilitet på begrænset plads. Disse Infineon-produkter er konstrueret til at opfylde og overstige kravene til energieffektivitet og effekttæthed i de skærpede næste-generations standarder for spændingsregulering i computere.
N-kanal - forbedringstilstand
Automotiv AEC Q101 kvalificeret
MSL1 op til 260 °C topreflow
175 °C driftstemperatur
Grøn pakke (blyfri)
Ultra lav Rds(til)
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 300 A 30 V HSOF-8, OptiMOS™ IPT004N03LATMA1
- Infineon N-Kanal 300 A 100 V HSOF-8, OptiMOS™ 5 IAUT300N10S5N015ATMA1
- Infineon N-Kanal 300 A 60 V HSOF-8, OptiMOS™ 5 IPT007N06NATMA1
- Infineon N-Kanal 300 A 80 V HSOF-8, OptiMOS™ 5 IAUT300N08S5N012ATMA2
- Infineon N-Kanal 300 A 100 V HSOF-8, OptiMOS™ 5 IPT015N10N5ATMA1
- Infineon N-Kanal 300 A 100 V HSOF-8, OptiMOS™ 3 IPT020N10N3ATMA1
- Infineon N-Kanal 237 A 120 V HSOF-8, OptiMOS™ IPT030N12N3GATMA1
- Infineon N-Kanal 260 A 100 V HSOF-8, OptiMOS™ 5 IAUT260N10S5N019ATMA1
