Infineon Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 60 A 600 V Forbedring, 3 Ben, PG-HSOF-8, OptiMOS 6 AEC-Q101 IPT60R070CM8XTMA1
- RS-varenummer:
- 690-428
- Producentens varenummer:
- IPT60R070CM8XTMA1
- Brand:
- Infineon
STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 50,91
(ekskl. moms)
Kr. 63,638
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 2.000 enhed(er) afsendes fra 19. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 25,455 | Kr. 50,91 |
| 20 - 98 | Kr. 20,645 | Kr. 41,29 |
| 100 - 198 | Kr. 15,79 | Kr. 31,58 |
| 200 + | Kr. 12,64 | Kr. 25,28 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 690-428
- Producentens varenummer:
- IPT60R070CM8XTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Lovgivning og oprindelsesland
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 60A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | PG-HSOF-8 | |
| Serie | OptiMOS 6 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 70mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, ISO 128-30 | |
| Bredde | 11.88 mm | |
| Længde | 10.1mm | |
| Højde | 2.4mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 60A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype PG-HSOF-8 | ||
Serie OptiMOS 6 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 70mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, ISO 128-30 | ||
Bredde 11.88 mm | ||
Længde 10.1mm | ||
Højde 2.4mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 200 A 80 V Forbedring PG-HSOF, OptiMOS 5 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 200 A 80 V Forbedring PG-HSOF, OptiMOS 5 AEC-Q101 IAUT200N08S5N023ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 290 A 40 V Forbedring PG-HSOF-5-2, OptiMOS-TM7 AEC-Q101 IAUAN04S7N008AUMA1
- Infineon Type N-Kanal 331 A 120 V Forbedring PG-HSOF-8, OptiMOS Nej IPT017N12NM6ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 314 A 120 V Forbedring PG-HSOF-8-1, OptiMOS Nej IAUTN12S5N017ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 510 A 60 V Forbedring PG-HSOF-8-1, OptiMOS Nej IAUTN06S5N008ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 260 A 100 V Forbedring HSOF, OptiMOS 5 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 240 A 80 V Forbedring HSOF, OptiMOS 5 AEC-Q101
