Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PG-HSOF-5, IAUA AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 15.218,00

(ekskl. moms)

Kr. 19.022,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 13. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2000 +Kr. 7,609Kr. 15.218,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
218-2987
Producentens varenummer:
IAUA200N04S5N010AUMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

120A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

IAUA

Emballagetype

PG-HSOF-5

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

1.4mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS™ -5 serien N-kanal power MOSFET. Den bruges til brug i biler.

N-kanal - forbedringstilstand - normalt niveau

MSL3 op til 260 °C peak reflow

175 °C driftstemperatur

100 % lavine-testet

Relaterede links