Infineon N-Kanal, MOSFET, 200 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PG-HSOF-5, IAUA AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 15.492,00

(ekskl. moms)

Kr. 19.364,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 4.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2000 +Kr. 7,746Kr. 15.492,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
218-2987
Producentens varenummer:
IAUA200N04S5N010AUMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

200A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

IAUA

Emballagetype

PG-HSOF-5

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

1mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Portkildespænding maks.

20V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS™ -5 serien N-kanal power MOSFET. Den bruges til brug i biler.

N-kanal - forbedringstilstand - normalt niveau

MSL3 op til 260 °C peak reflow

175 °C driftstemperatur

100 % lavine-testet

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.