Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PG-HSOF-5, IAUA AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 115,79

(ekskl. moms)

Kr. 144,74

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 5.805 enhed(er) afsendes fra 23. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 23,158Kr. 115,79
50 - 120Kr. 18,97Kr. 94,85
125 - 245Kr. 17,788Kr. 88,94
250 - 495Kr. 16,68Kr. 83,40
500 +Kr. 15,528Kr. 77,64

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
218-2988
Producentens varenummer:
IAUA200N04S5N010AUMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

120A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

PG-HSOF-5

Serie

IAUA

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

1.4mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS™ -5 serien N-kanal power MOSFET. Den bruges til brug i biler.

N-kanal - forbedringstilstand - normalt niveau

MSL3 op til 260 °C peak reflow

175 °C driftstemperatur

100 % lavine-testet

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.