Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 7 A 200 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3 Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*

Kr. 13.405,00

(ekskl. moms)

Kr. 16.755,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 5.000 enhed(er) afsendes fra 08. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
5000 +Kr. 2,681Kr. 13.405,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
145-9478
Producentens varenummer:
BSC22DN20NS3GATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

7A

Drain source spænding maks. Vds

200V

Emballagetype

TDSON

Serie

OptiMOS 3

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

225mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

4.2nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1V

Effektafsættelse maks. Pd

34W

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

5.35mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

6.35 mm

Højde

1.1mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, 100 V og derover


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links