Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 7 A 200 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*

Kr. 12.470,00

(ekskl. moms)

Kr. 15.590,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 5.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
5000 +Kr. 2,494Kr. 12.470,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
145-9478
Producentens varenummer:
BSC22DN20NS3GATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

7A

Drain source spænding maks. Vds

200V

Emballagetype

TDSON

Serie

OptiMOS 3

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

225mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

4.2nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

34W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.1mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

6.35 mm

Længde

5.35mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, 100 V og derover


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links