Vishay 2 N-Kanal Isoleret, MOSFET, 8 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 170-8297
- Producentens varenummer:
- SQ4920EY-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 170-8297
- Producentens varenummer:
- SQ4920EY-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 17.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19.7nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 750mV | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 4.4W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4mm | |
| Højde | 1.5mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 17.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19.7nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 750mV | ||
Effektafsættelse maks. Pd 4.4W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4mm | ||
Højde 1.5mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Dobbelt N-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay 2 N-Kanal Isoleret 8 A 30 V Forbedring SOIC, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 5.4 A 60 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix N-Kanal 75 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 18 A 100 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 18 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 18 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 500 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 114 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101