Vishay 2 N-Kanal Isoleret, MOSFET, 8 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 bånd af 5 enheder)*

Kr. 80,34

(ekskl. moms)

Kr. 100,43

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 21. april 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr bånd*
5 - 45Kr. 16,068Kr. 80,34
50 - 120Kr. 15,11Kr. 75,55
125 - 245Kr. 13,628Kr. 68,14
250 - 495Kr. 12,836Kr. 64,18
500 +Kr. 12,042Kr. 60,21

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
787-9462
Producentens varenummer:
SQ4920EY-T1_GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

8A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

SOIC

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

17.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

19.7nC

Portkildespænding maks.

-20V, +20V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

4.4W

Gennemgangsspænding Vf

750mV

Transistorkonfiguration

Isoleret

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

5mm

Højde

1.5mm

Bredde

4mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Dobbelt N-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.