Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 35 A 100 V Forbedring, 5 Ben, TO-252, IPD25CN10N G Nej IPD25CN10NGATMA1
- RS-varenummer:
- 171-1917
- Producentens varenummer:
- IPD25CN10NGATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 62,68
(ekskl. moms)
Kr. 78,35
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 1.720 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 6,268 | Kr. 62,68 |
| 100 - 240 | Kr. 4,889 | Kr. 48,89 |
| 250 - 490 | Kr. 4,572 | Kr. 45,72 |
| 500 - 990 | Kr. 4,261 | Kr. 42,61 |
| 1000 + | Kr. 3,95 | Kr. 39,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 171-1917
- Producentens varenummer:
- IPD25CN10NGATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 35A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | IPD25CN10N G | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 26mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 23nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 71W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 2.41mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bredde | 7.47 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 35A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie IPD25CN10N G | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 26mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 23nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 71W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 2.41mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Bredde 7.47 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
RoHS Status: Ikke relevant
Infineon MOSFET
Infineon TO-252-3 N-kanal MOSFET til overflademontering er et nyt aldersprodukt med en modstand fra en drænkilde på 25 Mohm ved en gate-kildespænding på 10 V. MOSFET har kontinuerlig drænstrøm på 300 A. Den har en maksimal gate-source-spænding på 20 V og drain-source-spænding på 100 V. Den har et maksimalt effekttab på 71 W. MOSFET har en driftsspænding på 10 V. Den er optimeret til lavere skift og ledetab. MOSFET giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• produkter, der er nemme at designe
• Miljøvenlig
• fremragende gate-opladning x RDS(on)-produkt (FOM)
• fremragende skifteevne
• Halogenfri
• højeste effekttæthed
• Øget effektivitet
• mindre parallelkobling påkrævet
• driftstemperaturområde mellem -55 °C og 175 °C.
• mindste pladsforbrug på kort
• meget lav QG og Qgd
• verdens laveste RDS (til)
Anvendelsesområder
• klasse D lydforstærkere
• isolerede DC-DC-konvertere (telekommunikations- og datakommunikationssystemer
• motorstyring til 48V-80V systemer (private køretøjer, el-værktøj, lastbiler)
• O-ringskontakter og automatsikringer i 48 V systemer
• synkron ensretter
Certifikater
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC61249-2-21
• JEDEC
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 35 A 100 V Forbedring TO-252, IPD25CN10N G Nej
- Infineon Type N-Kanal 35 A 100 V Forbedring TO-252, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 35 A 100 V Forbedring TO-252, HEXFET Nej IRFR540ZTRPBF
- Infineon Type N-Kanal 35 A 100 V Forbedring TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 35 A 100 V Forbedring TO-252, HEXFET AEC-Q101 AUIRFR540Z
- Infineon Type N-Kanal 35 A 120 V Forbedring PG-TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 35 A 100 V Forbedring TO-252, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 35 A 120 V Forbedring PG-TO-252, IPD AEC-Q101 IPD35N12S3L24ATMA1
