Infineon N-Kanal, MOSFET, 35 A 100 V Forbedring, 5 Ben, TO-252, IPD25CN10N G
- RS-varenummer:
- 171-1917
- Producentens varenummer:
- IPD25CN10NGATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 74,87
(ekskl. moms)
Kr. 93,59
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.720 enhed(er) afsendes fra 21. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 7,487 | Kr. 74,87 |
| 100 - 240 | Kr. 5,842 | Kr. 58,42 |
| 250 - 490 | Kr. 5,468 | Kr. 54,68 |
| 500 - 990 | Kr. 5,086 | Kr. 50,86 |
| 1000 + | Kr. 4,727 | Kr. 47,27 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 171-1917
- Producentens varenummer:
- IPD25CN10NGATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 35A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | IPD25CN10N G | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 26mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 23nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 71W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 2.41mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 7.47mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 35A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie IPD25CN10N G | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 26mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 23nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 71W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 2.41mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 7.47mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
RoHS Status: Ikke relevant
Infineon MOSFET
Infineon TO-252-3 N-kanal MOSFET til overflademontering er et nyt aldersprodukt med en modstand fra en drænkilde på 25 Mohm ved en gate-kildespænding på 10 V. MOSFET har kontinuerlig drænstrøm på 300 A. Den har en maksimal gate-source-spænding på 20 V og drain-source-spænding på 100 V. Den har et maksimalt effekttab på 71 W. MOSFET har en driftsspænding på 10 V. Den er optimeret til lavere skift og ledetab. MOSFET giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• produkter, der er nemme at designe
• Miljøvenlig
• fremragende gate-opladning x RDS(on)-produkt (FOM)
• fremragende skifteevne
• Halogenfri
• højeste effekttæthed
• Øget effektivitet
• mindre parallelkobling påkrævet
• driftstemperaturområde mellem -55 °C og 175 °C.
• mindste pladsforbrug på kort
• meget lav QG og Qgd
• verdens laveste RDS (til)
Anvendelsesområder
• klasse D lydforstærkere
• isolerede DC-DC-konvertere (telekommunikations- og datakommunikationssystemer
• motorstyring til 48V-80V systemer (private køretøjer, el-værktøj, lastbiler)
• O-ringskontakter og automatsikringer i 48 V systemer
• synkron ensretter
Certifikater
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC61249-2-21
• JEDEC