Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 50 A 150 V Forbedring, 5 Ben, TO-252, IPD200N15N3 G
- RS-varenummer:
- 170-2287
- Producentens varenummer:
- IPD200N15N3GATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 16.672,50
(ekskl. moms)
Kr. 20.840,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 06. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 6,669 | Kr. 16.672,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 170-2287
- Producentens varenummer:
- IPD200N15N3GATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | IPD200N15N3 G | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 20mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 23nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.36mm | |
| Højde | 4.57mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie IPD200N15N3 G | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 20mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 23nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.36mm | ||
Højde 4.57mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IPD200N15N3 G er 150V OptiMOS opnår en reduktion i R DS (ON) på 40 % og 45 % i antal af fortjeneste (FOM) sammenlignet med den næstbedste konkurrent. Denne drastiske forbedring åbner nye muligheder som at skifte fra blyholdige huse til SMD-huse eller effektivt erstatte to gamle dele med en OptiMOS-del.
Fremragende skifteevne
Verdens laveste R DS (til)
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 50 A 150 V Forbedring TO-252, IPD200N15N3 G
- Infineon Type N-Kanal 21 A 150 V Forbedring TO-252, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 24 A 150 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal -13 A -150 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 33 A 150 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 31 A 650 V Forbedring IPD
- Infineon Type N-Kanal 25 A 250 V Forbedring TO-252, IPD600N25N3 G
- Infineon Type N-Kanal 35 A 100 V Forbedring TO-252, IPD25CN10N G