Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 50 A 150 V Forbedring, 5 Ben, TO-252, IPD200N15N3 G

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 16.645,00

(ekskl. moms)

Kr. 20.805,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 29. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 6,658Kr. 16.645,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
170-2287
Producentens varenummer:
IPD200N15N3GATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

50A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Emballagetype

TO-252

Serie

IPD200N15N3 G

Monteringstype

Overflade

Benantal

5

Drain source modstand maks. Rds

20mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

23nC

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

150W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

4.57mm

Længde

10.36mm

Bredde

9.45 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon IPD200N15N3 G er 150V OptiMOS opnår en reduktion i R DS (ON) på 40 % og 45 % i antal af fortjeneste (FOM) sammenlignet med den næstbedste konkurrent. Denne drastiske forbedring åbner nye muligheder som at skifte fra blyholdige huse til SMD-huse eller effektivt erstatte to gamle dele med en OptiMOS-del.

Fremragende skifteevne

Verdens laveste R DS (til)

Relaterede links