Infineon N-Kanal, MOSFET, 21 A 150 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS 3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 15 enheder)*

Kr. 123,50

(ekskl. moms)

Kr. 154,37

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 480 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
15 - 60Kr. 8,233Kr. 123,50
75 - 135Kr. 7,819Kr. 117,29
150 - 360Kr. 7,49Kr. 112,35
375 - 735Kr. 7,161Kr. 107,42
750 +Kr. 6,672Kr. 100,08

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
214-4381
Producentens varenummer:
IPD530N15N3GATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

21A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Emballagetype

TO-252

Serie

OptiMOS 3

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

53mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

68W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

8.7nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

20V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

6.42mm

Længde

6.65mm

Højde

2.35mm

Bilindustristandarder

Nej

Denne Infineon OptiMOS 3 MOSFET er ideel til højfrekvent omskiftning og synkron ensretning. Den er kvalificeret i henhold til JEDEC til anvendelse som mål

Den er halogenfri i henhold til IEC61249-2-21

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.