Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 21 A 150 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS 3 Nej IPD530N15N3GATMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 15 enheder)*

Kr. 89,175

(ekskl. moms)

Kr. 111,465

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 11.460 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
15 - 60Kr. 5,945Kr. 89,18
75 - 135Kr. 5,649Kr. 84,74
150 - 360Kr. 5,401Kr. 81,02
375 - 735Kr. 5,174Kr. 77,61
750 +Kr. 4,815Kr. 72,23

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
214-4381
Producentens varenummer:
IPD530N15N3GATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

21A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Serie

OptiMOS 3

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

53mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

8.7nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

68W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

6.65mm

Bredde

6.42 mm

Højde

2.35mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Denne Infineon OptiMOS 3 MOSFET er ideel til højfrekvent omskiftning og synkron ensretning. Den er kvalificeret i henhold til JEDEC til anvendelse som mål

Den er halogenfri i henhold til IEC61249-2-21

Relaterede links