Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 21 A 150 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS 3 Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 8.062,50

(ekskl. moms)

Kr. 10.077,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 10.000 enhed(er) afsendes fra 01. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 3,225Kr. 8.062,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:
214-4380
Producentens varenummer:
IPD530N15N3GATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

21A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Serie

OptiMOS 3

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

53mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

8.7nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

68W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.65mm

Bredde

6.42 mm

Højde

2.35mm

Bilindustristandarder

Nej

Denne Infineon OptiMOS 3 MOSFET er ideel til højfrekvent omskiftning og synkron ensretning. Den er kvalificeret i henhold til JEDEC til anvendelse som mål

Den er halogenfri i henhold til IEC61249-2-21

Relaterede links