Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 21 A 150 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS 3
- RS-varenummer:
- 214-4380
- Producentens varenummer:
- IPD530N15N3GATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 8.062,50
(ekskl. moms)
Kr. 10.077,50
(inkl. moms)
Tilføj 2500 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- 10.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 3,225 | Kr. 8.062,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4380
- Producentens varenummer:
- IPD530N15N3GATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 21A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 53mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 68W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.7nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 6.42 mm | |
| Højde | 2.35mm | |
| Længde | 6.65mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 21A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 53mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 68W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.7nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 6.42 mm | ||
Højde 2.35mm | ||
Længde 6.65mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne Infineon OptiMOS 3 MOSFET er ideel til højfrekvent omskiftning og synkron ensretning. Den er kvalificeret i henhold til JEDEC til anvendelse som mål
Den er halogenfri i henhold til IEC61249-2-21
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 21 A 150 V Forbedring TO-252, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 21 A 150 V Forbedring TSDSON, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 21 A 150 V Forbedring TDSON, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 100 A 60 V Forbedring TO-252, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 80 A 100 V Forbedring TO-252, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 50 A 60 V Forbedring TO-252, OptiMOS
- Infineon Type P-Kanal 70 A 30 V Forbedring TO-252, OptiMOS P
- Infineon Type N-Kanal 45 A 60 V Forbedring TO-252, OptiMOS 5