Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 21 A 150 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS 3 Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 8.062,50

(ekskl. moms)

Kr. 10.077,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 10.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 3,225Kr. 8.062,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:
214-4380
Producentens varenummer:
IPD530N15N3GATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

21A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Serie

OptiMOS 3

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

53mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

8.7nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

68W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.65mm

Bredde

6.42 mm

Højde

2.35mm

Bilindustristandarder

Nej

Denne Infineon OptiMOS 3 MOSFET er ideel til højfrekvent omskiftning og synkron ensretning. Den er kvalificeret i henhold til JEDEC til anvendelse som mål

Den er halogenfri i henhold til IEC61249-2-21

Relaterede links