Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 50 A 150 V Forbedring, 5 Ben, TO-252, IPD200N15N3 G

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 96,04

(ekskl. moms)

Kr. 120,05

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 150 enhed(er) afsendes fra 23. marts 2026
  • Plus 240 enhed(er) afsendes fra 30. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 10Kr. 9,604Kr. 96,04
20 - 40Kr. 7,682Kr. 76,82
50 - 90Kr. 7,211Kr. 72,11
100 - 240Kr. 6,859Kr. 68,59
250 +Kr. 6,687Kr. 66,87

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
171-1945
Producentens varenummer:
IPD200N15N3GATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

50A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Emballagetype

TO-252

Serie

IPD200N15N3 G

Monteringstype

Overflade

Benantal

5

Drain source modstand maks. Rds

20mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1V

Effektafsættelse maks. Pd

150W

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

23nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

10.36mm

Bredde

9.45 mm

Højde

4.57mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon IPD200N15N3 G er 150V OptiMOS opnår en reduktion i R DS (ON) på 40 % og 45 % i antal af fortjeneste (FOM) sammenlignet med den næstbedste konkurrent. Denne drastiske forbedring åbner nye muligheder som at skifte fra blyholdige huse til SMD-huse eller effektivt erstatte to gamle dele med en OptiMOS-del.

Fremragende skifteevne

Verdens laveste R DS (til)

Relaterede links