Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 50 A 150 V Forbedring, 5 Ben, TO-252, IPD200N15N3 G Nej IPD200N15N3GATMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 123,35

(ekskl. moms)

Kr. 154,19

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 70 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 400 enhed(er) afsendes fra 07. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 10Kr. 12,335Kr. 123,35
20 - 40Kr. 9,866Kr. 98,66
50 - 90Kr. 9,253Kr. 92,53
100 - 240Kr. 8,639Kr. 86,39
250 +Kr. 8,333Kr. 83,33

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
171-1945
Producentens varenummer:
IPD200N15N3GATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

50A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Emballagetype

TO-252

Serie

IPD200N15N3 G

Monteringstype

Overflade

Benantal

5

Drain source modstand maks. Rds

20mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

150W

Gennemgangsspænding Vf

1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

23nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

9.45 mm

Højde

4.57mm

Længde

10.36mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon IPD200N15N3 G er 150V OptiMOS opnår en reduktion i R DS (ON) på 40 % og 45 % i antal af fortjeneste (FOM) sammenlignet med den næstbedste konkurrent. Denne drastiske forbedring åbner nye muligheder som at skifte fra blyholdige huse til SMD-huse eller effektivt erstatte to gamle dele med en OptiMOS-del.

Fremragende skifteevne

Verdens laveste R DS (til)

Relaterede links