ROHM Type N-Kanal, MOSFET, 2.5 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SC-96, RQ5E025SN Nej RQ5E025SNTL
- RS-varenummer:
- 171-9804
- Producentens varenummer:
- RQ5E025SNTL
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 100 enheder)*
Kr. 171,30
(ekskl. moms)
Kr. 214,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 21. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | Kr. 1,713 | Kr. 171,30 |
| 500 - 900 | Kr. 1,542 | Kr. 154,20 |
| 1000 - 1400 | Kr. 1,40 | Kr. 140,00 |
| 1500 - 1900 | Kr. 1,287 | Kr. 128,70 |
| 2000 + | Kr. 1,215 | Kr. 121,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 171-9804
- Producentens varenummer:
- RQ5E025SNTL
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SC-96 | |
| Serie | RQ5E025SN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 118mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 2.9nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3mm | |
| Højde | 0.95mm | |
| Bredde | 1.8 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SC-96 | ||
Serie RQ5E025SN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 118mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 2.9nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3mm | ||
Højde 0.95mm | ||
Bredde 1.8 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
RQ5E025SN er en småsignal MOSFET med lav modstand ved tændt og indbygget G-S-beskyttelsesdiode. Den er velegnet til omskiftning.
Lav modstand ved tændt.
Indbygget G-S-beskyttelsesdiode.
Lille hus til overflademontering (TSMT3).
Blyfri forgyldning
Relaterede links
- ROHM N-Kanal 2 3 ben RQ5E025SN RQ5E025SNTL
- ROHM N-Kanal 2 3 ben, TSMT RSR025N03TL
- ROHM N-Kanal 2 3 ben, TSMT AEC-Q101 RTR025N03TL
- ROHM N-Kanal 3 3 ben RQ5E035BN RQ5E035BNTCL
- ROHM N-Kanal 4 A 20 V TSMT-3 RUR040N02TL
- ROHM N-Kanal 3 A 45 V TSMT-3, RQ5H030TN RQ5H030TNTL
- ROHM N-Kanal 6 A 40 V TSMT-3, RQ5 RQ5G060BGTCL
- ROHM N-Kanal 2 A 20 V TSMT-3, RUR020N02 RUR020N02TL
