ROHM Type N-Kanal, MOSFET, 3 A 45 V Forbedring, 3 Ben, SC-96, RQ5H030TN
- RS-varenummer:
- 171-9820
- Producentens varenummer:
- RQ5H030TNTL
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 50 enheder)*
Kr. 119,00
(ekskl. moms)
Kr. 149,00
(inkl. moms)
Tilføj 250 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 17. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | Kr. 2,38 | Kr. 119,00 |
| 500 - 700 | Kr. 2,142 | Kr. 107,10 |
| 750 - 1450 | Kr. 1,949 | Kr. 97,45 |
| 1500 - 2450 | Kr. 1,785 | Kr. 89,25 |
| 2500 + | Kr. 1,725 | Kr. 86,25 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 171-9820
- Producentens varenummer:
- RQ5H030TNTL
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 45V | |
| Serie | RQ5H030TN | |
| Emballagetype | SC-96 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 95mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 12 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.2nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.8 mm | |
| Højde | 0.95mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 45V | ||
Serie RQ5H030TN | ||
Emballagetype SC-96 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 95mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 12 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.2nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.8 mm | ||
Højde 0.95mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
RQ5H030TN er en MOSFET med G-S-beskyttelsesdiode og lav omskiftning ved tændt, velegnet til omskiftning.
Lav modstand ved tændt
Indbygget G-S-beskyttelsesdiode
Lille hus til overflademontering (TSMT3)
Relaterede links
- ROHM N-Kanal 3 A 45 V TSMT-3, RQ5H030TN RQ5H030TNTL
- ROHM Type P-Kanal 3 A 12 V Forbedring SC-96, RQ5A030AP
- ROHM Type N-Kanal 1 A 100 V Forbedring SC-96, RSR010N10
- ROHM Type P-Kanal 1.5 A 60 V Forbedring SC-96, RQ5L015SP
- ROHM Type P-Kanal 3.5 A 30 V Forbedring SC-96, RQ5E035AT
- ROHM Type P-Kanal 1.5 A 30 V Forbedring SC-96, RRR015P03
- ROHM Type P-Kanal 6 A 20 V Forbedring SC-96, RQ5C060BC
- ROHM Type N-Kanal 2.5 A 30 V Forbedring SC-96, RQ5E025SN
