ROHM Type P-Kanal, MOSFET, 13 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, RD3P130SP
- RS-varenummer:
- 172-0456
- Producentens varenummer:
- RD3P130SPTL1
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (10 enheder, i en pakke med 10)*
Kr. 117,59
(ekskl. moms)
Kr. 146,99
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 1.040 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 240 | Kr. 11,759 | Kr. 117,59 |
| 250 - 740 | Kr. 10,592 | Kr. 105,92 |
| 750 - 1190 | Kr. 9,642 | Kr. 96,42 |
| 1200 - 1990 | Kr. 8,258 | Kr. 82,58 |
| 2000 + | Kr. 8,086 | Kr. 80,86 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 172-0456
- Producentens varenummer:
- RD3P130SPTL1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 13A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | RD3P130SP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 200mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 40nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 2.3mm | |
| Længde | 6.8mm | |
| Bredde | 6.4mm | |
| Standarder/godkendelser | Pb-free lead plating, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 13A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie RD3P130SP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 200mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 40nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 2.3mm | ||
Længde 6.8mm | ||
Bredde 6.4mm | ||
Standarder/godkendelser Pb-free lead plating, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
RD3P130SP er en Power MOSFET med lav modstand ved tænding, velegnet til switching.
Lav modstand ved tændt.
Hurtig skiftehastighed.
Drivkredsløb kan være enkle.
Parallel brug er let.
Pb-fri belægning
Relaterede links
- ROHM Type P-Kanal 13 A 100 V Forbedring TO-252, RD3P130SP
- ROHM Type P-Kanal 13 A 100 V TO-252, RD3
- ROHM Type P-Kanal 16 A 45 V Forbedring TO-252, RD3H160SP
- ROHM Type P-Kanal -4.5 A 45 V Forbedring TO-252, RD3H045SP
- ROHM N-Kanal 13 A 600 V Forbedring TO-252, R6013VND3 NaN
- Infineon Type P-Kanal 13 A 100 V Forbedring TO-252, HEXFET
- ROHM Type P-Kanal 80 A 40 V Forbedring TO-252, RD3 AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 13 A 100 V Forbedring TO-252, AUIRF AEC-Q101