ROHM Type N-Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, R6013VND3 NaN Nej R6013VND3TL1
- RS-varenummer:
- 265-5415
- Producentens varenummer:
- R6013VND3TL1
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 73,45
(ekskl. moms)
Kr. 91,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 2.455 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 14,69 | Kr. 73,45 |
| 50 - 95 | Kr. 13,194 | Kr. 65,97 |
| 100 - 245 | Kr. 10,592 | Kr. 52,96 |
| 250 - 995 | Kr. 10,398 | Kr. 51,99 |
| 1000 + | Kr. 8,632 | Kr. 43,16 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 265-5415
- Producentens varenummer:
- R6013VND3TL1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 13A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | R6013VND3 NaN | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.3Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 21nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 131W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS NaN | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 13A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie R6013VND3 NaN | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.3Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 21nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 131W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS NaN | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM effekt MOSFET med lav modstand ved tænding og højt effekthus, som er velegnet til koblingskredsløb, enkeltcellebatterier og mobile anvendelser.
Hurtig omvendt genopretningstid (trr)
Lav modstand ved tændt
Hurtig skiftehastighed
Drevkredsløb kan være enkle
Relaterede links
- ROHM N-Kanal 13 A 600 V TO-252 R6013VND3TL1
- ROHM N-Kanal 4 A 600 V TO-252 R6004END3TL1
- ROHM N-Kanal 7 A 600 V TO-252 R6007END3TL1
- ROHM N-Kanal 9 A 600 V TO-252, R60 R6009RND3TL1
- ROHM N-Kanal 10 A 600 V TO-252, R60 R6010YND3TL1
- ROHM N-Kanal 600 A 7 V TO-252, R60 R6007RND3TL1
- ROHM N-Kanal 4 A 600 V TO-252, R60 R6004RND3TL1
- STMicroelectronics N-Kanal 13 A 600 V DPAK (TO-252), M6 STD18N60M6
