ROHM Type N-Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, R6013VND3 NaN
- RS-varenummer:
- 265-5415
- Producentens varenummer:
- R6013VND3TL1
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 85,72
(ekskl. moms)
Kr. 107,15
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.445 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 17,144 | Kr. 85,72 |
| 50 - 95 | Kr. 15,408 | Kr. 77,04 |
| 100 - 245 | Kr. 12,372 | Kr. 61,86 |
| 250 - 995 | Kr. 12,132 | Kr. 60,66 |
| 1000 + | Kr. 10,084 | Kr. 50,42 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 265-5415
- Producentens varenummer:
- R6013VND3TL1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 13A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | R6013VND3 NaN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.3Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 21nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 131W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS NaN | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 13A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie R6013VND3 NaN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.3Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 21nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 131W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS NaN | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM effekt MOSFET med lav modstand ved tænding og højt effekthus, som er velegnet til koblingskredsløb, enkeltcellebatterier og mobile anvendelser.
Hurtig omvendt genopretningstid (trr)
Lav modstand ved tændt
Hurtig skiftehastighed
Drevkredsløb kan være enkle
Relaterede links
- ROHM Type N-Kanal 13 A 600 V Forbedring TO-252, R6013VND3 NaN
- ROHM Type P-Kanal 13 A 100 V Forbedring TO-252, RD3P130SP
- ROHM Type N-Kanal 7 A 600 V Forbedring TO-252, R6007END3
- ROHM Type N-Kanal 4 A 600 V Forbedring TO-252, R6004END3
- ROHM Type N-Kanal 9 A 600 V Forbedring TO-252, R60
- ROHM Type N-Kanal 4 A 600 V Forbedring TO-252, R60
- ROHM Type N-Kanal 10 A 600 V Forbedring TO-252, R60
- Infineon Type N-Kanal 13 A 600 V Forbedring TO-252, IPD50R
