ROHM N-Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, R6013VND3 NaN

Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
RS-varenummer:
265-5414
Producentens varenummer:
R6013VND3TL1
Brand:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

13A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

R6013VND3 NaN

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.3Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

30V

Effektafsættelse maks. Pd

131W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

21nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS NaN

Bilindustristandarder

Nej

ROHM effekt MOSFET med lav modstand ved tænding og højt effekthus, som er velegnet til koblingskredsløb, enkeltcellebatterier og mobile anvendelser.

Hurtig omvendt genopretningstid (trr)

Lav modstand ved tændt

Hurtig skiftehastighed

Drevkredsløb kan være enkle

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.