ROHM Type N-Kanal, MOSFET, 4 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 Nej R6504END3TL1

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 53,86

(ekskl. moms)

Kr. 67,325

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 90 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 +Kr. 10,772Kr. 53,86

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
235-2681
Producentens varenummer:
R6504END3TL1
Brand:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.05Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

58W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

15nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

10.4mm

Længde

6.4mm

Bredde

2.4 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

ROHM R6xxxENx-serien er støjsvage produkter, super Junction MOSFET, der lægger vægt på brugervenlighed. Denne serie af produkter har en overlegen ydeevne til støjfølsomme anvendelser for at reducere støj, f.eks. lyd- og belysningsudstyr.

Lav modstand ved tændt

Hurtig koblingshastighed

Parallel brug er let

Blyfri belægning

I overensstemmelse med RoHS

Relaterede links