ROHM Type N-Kanal, MOSFET 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, R65 Nej R6502END3TL1

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 10 enheder)*

Kr. 42,94

(ekskl. moms)

Kr. 53,68

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 80 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
10 - 90Kr. 4,294Kr. 42,94
100 - 240Kr. 4,077Kr. 40,77
250 - 490Kr. 3,77Kr. 37,70
500 - 990Kr. 3,471Kr. 34,71
1000 +Kr. 3,351Kr. 33,51

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
265-280
Producentens varenummer:
R6502END3TL1
Brand:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

TO-252

Serie

R65

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

4.0Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6.5nC

Effektafsættelse maks. Pd

26W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

ROHM MOSFET er en støjsvag Super Junction MOSFET, der lægger vægt på brugervenlighed. Produkterne i denne serie opnår en overlegen ydeevne til støjfølsomme applikationer for at reducere støj, f.eks. lyd- og belysningsudstyr.

Pb-fri blybelægning

RoHS-overensstemmende

Hurtig skifte

Drivkredsløb kan være enkle

Parallel brug er let

Lav modstand ved tændt

Relaterede links