ROHM Type N-Kanal, MOSFET 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, R65 Nej R6502END3TL1
- RS-varenummer:
- 265-280
- Producentens varenummer:
- R6502END3TL1
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 10 enheder)*
Kr. 42,94
(ekskl. moms)
Kr. 53,68
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 80 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 4,294 | Kr. 42,94 |
| 100 - 240 | Kr. 4,077 | Kr. 40,77 |
| 250 - 490 | Kr. 3,77 | Kr. 37,70 |
| 500 - 990 | Kr. 3,471 | Kr. 34,71 |
| 1000 + | Kr. 3,351 | Kr. 33,51 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 265-280
- Producentens varenummer:
- R6502END3TL1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | R65 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.0Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 26W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie R65 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.0Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 26W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM MOSFET er en støjsvag Super Junction MOSFET, der lægger vægt på brugervenlighed. Produkterne i denne serie opnår en overlegen ydeevne til støjfølsomme applikationer for at reducere støj, f.eks. lyd- og belysningsudstyr.
Pb-fri blybelægning
RoHS-overensstemmende
Hurtig skifte
Drivkredsløb kan være enkle
Parallel brug er let
Lav modstand ved tændt
Relaterede links
- ROHM N-Kanal 7 A 650 V DPAK (TO-252) R6507END3TL1
- ROHM N-Kanal 7 A 650 V DPAK (TO-252) R6507KND3TL1
- ROHM N-Kanal 11 A 650 V DPAK (TO-252) R6511KND3TL1
- ROHM N-Kanal 9 A 650 V DPAK (TO-252) R6509KND3TL1
- ROHM N-Kanal 4 A 650 V DPAK (TO-252) R6504KND3TL1
- ROHM N-Kanal 9 A 650 V DPAK (TO-252) R6509END3TL1
- ROHM N-Kanal 11 A 650 V DPAK (TO-252) R6511END3TL1
- ROHM N-Kanal 4 A 650 V DPAK (TO-252) R6504END3TL1
