Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 13 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET Nej IRFR5410TRLPBF

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 176,06

(ekskl. moms)

Kr. 220,08

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 40 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 20Kr. 8,803Kr. 176,06
40 - 80Kr. 8,363Kr. 167,26
100 - 180Kr. 8,011Kr. 160,22
200 - 480Kr. 7,656Kr. 153,12
500 +Kr. 7,129Kr. 142,58

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
215-2601
Producentens varenummer:
IRFR5410TRLPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

13A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

205mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

-1.6V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

66W

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

58nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Distrelec Product Id

304-39-424

Infineon-serien af femte generation af HEXFET fra International Rectifier anvender Advanced Processing-teknikker til at opnå ekstremt lav modstand i Silicon-området. Disse fordele kombineret med den hurtige koblingshastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET power MOSFET er kendt for, giver en enhed med tilstrækkeligt niveau til, giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i en lang række anvendelser. D-PACK er designet til overflademontering ved hjælp af dampfase, infrarød eller bølgelodningsteknik.

Avanceret procesteknologi

Ekstremt lav modstand ved tændt

Blyfri

Fuldt lavinenominel

Relaterede links