Infineon Type N-Kanal, MOSFET, -13 A -150 V, TO-252, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-9414
- Producentens varenummer:
- IRFR6215TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 61,49
(ekskl. moms)
Kr. 76,86
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.460 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 12,298 | Kr. 61,49 |
| 50 - 120 | Kr. 11,07 | Kr. 55,35 |
| 125 - 245 | Kr. 10,322 | Kr. 51,61 |
| 250 - 495 | Kr. 9,59 | Kr. 47,95 |
| 500 + | Kr. 6,164 | Kr. 30,82 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9414
- Producentens varenummer:
- IRFR6215TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -13A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -150V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 580mΩ | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 44nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 110W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -13A | ||
Drain source spænding maks. Vds -150V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 580mΩ | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 44nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 110W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRFR-serien er -150 V 1-p-kanals IR-mosfet i et D Pak-hus. IR MOSFET-serien af effekt MOSFET'er benytter gennemprøvede siliciumprocesser, der giver designere et bredt udvalg af enheder til at understøtte forskellige anvendelser som f.eks. jævnstrømsmotorer, invertere, SMPS, belysning, belastningsomskiftere samt batteridrevne anvendelser. Enhederne kan leveres i en række overflademonterede og hulmonteringshuse med industristandarder for let design.
Planarcellestruktur til bred SOA
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Silikoneoptimeret til anvendelser, der skifter under 100 kHz
Hus til overflademontering i industristandard
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal -13 A -150 V HEXFET
- Infineon Type P-Kanal -13 A -150 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 33 A 150 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 24 A 150 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 89 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 99 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 63 A 100 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 100 A 20 V HEXFET