Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 63 A 100 V, TO-252, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-9451
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-40-552
- Producentens varenummer:
- IRLR3110ZTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 64,63
(ekskl. moms)
Kr. 80,79
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 4.905 enhed(er) afsendes fra 19. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 12,926 | Kr. 64,63 |
| 50 - 120 | Kr. 12,178 | Kr. 60,89 |
| 125 - 245 | Kr. 11,37 | Kr. 56,85 |
| 250 - 495 | Kr. 10,592 | Kr. 52,96 |
| 500 + | Kr. 6,478 | Kr. 32,39 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9451
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-40-552
- Producentens varenummer:
- IRLR3110ZTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 63A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Drain source modstand maks. Rds | 15mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 63A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Drain source modstand maks. Rds 15mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRLR-serien er 100 V HEXFET-effektmosfet i et D-pak-hus.
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Logikniveau er optimeret til 10 V gate-drevspænding, der er i stand til 4,5 V gate-drevspænding
Effekthus til overflademontering i industristandard
Kan bølgeloddes
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 63 A 100 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 63 A 100 V DPAK (TO-252), HEXFET IRLR3110ZTRLPBF
- Infineon Type N-Kanal 63 A 100 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 17 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 61 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 86 A 30 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 33 A 150 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 90 A 2.2 V HEXFET
