Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 63 A 100 V, TO-252, HEXFET
- RS-varenummer:
- 257-9451
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-40-552
- Producentens varenummer:
- IRLR3110ZTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 91,11
(ekskl. moms)
Kr. 113,89
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 4.890 enhed(er) afsendes fra 23. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 18,222 | Kr. 91,11 |
| 50 - 120 | Kr. 17,16 | Kr. 85,80 |
| 125 - 245 | Kr. 16,008 | Kr. 80,04 |
| 250 - 495 | Kr. 14,93 | Kr. 74,65 |
| 500 + | Kr. 9,14 | Kr. 45,70 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 257-9451
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-40-552
- Producentens varenummer:
- IRLR3110ZTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 63A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Drain source modstand maks. Rds | 15mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 63A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Drain source modstand maks. Rds 15mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IRLR-serien er 100 V HEXFET-effektmosfet i et D-pak-hus.
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Logikniveau er optimeret til 10 V gate-drevspænding, der er i stand til 4,5 V gate-drevspænding
Effekthus til overflademontering i industristandard
Kan bølgeloddes
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 63 A 100 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 63 A 100 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 89 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 99 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 100 A 20 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 5 A 200 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 56 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 17 A 200 V HEXFET