Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 17 A 200 V, TO-252, HEXFET
- RS-varenummer:
- 258-3980
- Producentens varenummer:
- IRFR15N20DTRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 33,14
(ekskl. moms)
Kr. 41,425
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 5.410 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 6,628 | Kr. 33,14 |
| 50 - 120 | Kr. 5,76 | Kr. 28,80 |
| 125 - 245 | Kr. 5,37 | Kr. 26,85 |
| 250 - 495 | Kr. 4,966 | Kr. 24,83 |
| 500 + | Kr. 4,638 | Kr. 23,19 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-3980
- Producentens varenummer:
- IRFR15N20DTRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 17A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 165mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 140W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 27nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 17A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 165mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 140W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 27nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon Power MOSFET'er udnytter gennemprøvede siliciumprocesser, der giver designere en bred portefølje af enheder til at understøtte forskellige anvendelser som f.eks. DC-motorer, invertere, SMPS, belysning, belastningskontakter samt batteridrevne anvendelser. Enhederne fås i en række overflademonterede og gennemhullede pakker med industristandard fodaftryk for at gøre designet nemmere.
Planarcellestruktur til bred SOA
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Øget robusthed
Kompatibilitet med flere leverandører
Kvalifikationsniveau iht. industristandard
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 17 A 200 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 17 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 17 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 17 A 100 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 5 A 200 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 17 A 100 V Forbedring TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 89 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 99 A 60 V HEXFET