Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 17 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET Nej IRLR024NTRLPBF
- RS-varenummer:
- 830-3332
- Producentens varenummer:
- IRLR024NTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 158,05
(ekskl. moms)
Kr. 197,55
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 25. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | Kr. 6,322 | Kr. 158,05 |
| 125 - 225 | Kr. 4,868 | Kr. 121,70 |
| 250 - 600 | Kr. 4,551 | Kr. 113,78 |
| 625 - 1225 | Kr. 4,243 | Kr. 106,08 |
| 1250 + | Kr. 3,477 | Kr. 86,93 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 830-3332
- Producentens varenummer:
- IRLR024NTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 17A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 110mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Portkildespænding maks. | 16 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 45W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.73mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Højde | 2.39mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Distrelec Product Id | 304-44-475 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 17A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 110mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Portkildespænding maks. 16 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 45W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.73mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Højde 2.39mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Distrelec Product Id 304-44-475 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal Power MOSFET 55 V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 17 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 17 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET Nej IRLR024NTRPBF
- Infineon Type N-Kanal 17 A 55 V HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 17 A 55 V HEXFET Nej IRFR024NTRPBF
- Infineon Type N-Kanal 28 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 25 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 56 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 60 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET Nej