Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 6.6 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- RS-varenummer:
- 827-4082
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-44-467
- Producentens varenummer:
- IRFR9120NTRPBF
- Brand:
- Infineon
Få rabat ved storkøb
Tilføj 100 flere for at gemme Kr. 155,60
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 141,46
(ekskl. moms)
Kr. 176,82
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 280 enhed(er) afsendes fra 18. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 20 - 80 | Kr. 7,073 | Kr. 141,46 | - |
| 100 - 180 | Kr. 5,517 | Kr. 110,34 | Kr. 155,60 |
| 200 - 480 | Kr. 5,161 | Kr. 103,22 | Kr. 382,40 |
| 500 - 980 | Kr. 4,81 | Kr. 96,20 | Kr. 1.131,50 |
| 1000 + | Kr. 4,458 | Kr. 89,16 | Kr. 2.615,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 827-4082
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-44-467
- Producentens varenummer:
- IRFR9120NTRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 480mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 27nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 40W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.6V | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.73mm | |
| Højde | 2.39mm | |
| Bredde | 6.22mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 480mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 27nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 40W | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.6V | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.73mm | ||
Højde 2.39mm | ||
Bredde 6.22mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 6,6 A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 40 W maksimal effektafledning - IRFR9120NTRPBF
Denne MOSFET spiller en vigtig rolle i moderne elektroniske kredsløb, især i applikationer, der kræver effektiv strømstyring. Den er kendetegnet ved sin evne til at levere høj ydelse og lav on-resistance, hvilket gør den velegnet til en lang række elektriske og elektroniske systemer. Denne enhed er skræddersyet til at opfylde kravene i sektorer som automatisering, elektroteknik og andre områder, der er afhængige af strømstyringsløsninger.
Egenskaber og fordele
• Høj kontinuerlig afløbsstrøm på 6,6 A understøtter effektiv drift
• Kan håndtere spændinger på op til 100 V til krævende anvendelser
• Designet i DPAK TO-252-pakke til præcis overflademontering
• Lav maksimal drain-source-modstand på 480mΩ forbedrer strømeffektiviteten
• Giver en gate-tærskelspænding på 2V til 4V for pålidelig kontrol
• Understøtter enhancement mode-drift for at forbedre skifteydelsen
Anvendelsesområder
• Anvendes til strømstyring i automatiseringssystemer
• Anvendes i design af DC-DC-konvertere
• Velegnet til højstrømsafbrydelse i industrielt udstyr
• Integreret i strømforsyningskredsløb for effektiv ydelse
• Anvendelig i inverterkredsløb og motorstyring
Hvad er den optimale driftstemperatur for dette produkt?
Den optimale driftstemperatur spænder fra -55 °C til +150 °C, hvilket giver en effektiv ydelse i forskellige miljøer.
Hvordan kan gate-tærskelspændingen påvirke ydeevnen?
Den maksimale gate-tærskelspænding påvirker koblingsadfærden; det definerede område på 2V til 4V sikrer pålidelige on/off-forhold.
Er der en bestemt metode til at montere denne enhed?
Den er designet til overflademontering, især inden for DPAK TO-252-fodaftrykket, hvilket letter integrationen i PCB-layouts.
Hvad betyder den lave RDS(on) for mit kredsløb?
En lav RDS(on) hjælper med at minimere strømtab under drift, hvilket forbedrer den samlede systemeffektivitet og reducerer varmeudviklingen.
Kan dette produkt håndtere omvendt strøm?
Ja, den har egenskaber, der er egnede til effektivt at håndtere returstrømme og sikre stabilitet i forskellige applikationer.
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 6.6 A 100 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 11 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 18 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 13 A 100 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal -11 A -55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal -13 A -150 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 33 A 150 V Forbedring HEXFET