ROHM Type N-Kanal, MOSFET, 20 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, RD3P200SN Nej RD3P200SNTL
- RS-varenummer:
- 172-0472
- Producentens varenummer:
- RD3P200SNTL
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 74,95
(ekskl. moms)
Kr. 93,69
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 12. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 240 | Kr. 7,495 | Kr. 74,95 |
| 250 - 740 | Kr. 6,567 | Kr. 65,67 |
| 750 - 1190 | Kr. 6,418 | Kr. 64,18 |
| 1200 - 1990 | Kr. 6,238 | Kr. 62,38 |
| 2000 + | Kr. 6,096 | Kr. 60,96 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 172-0472
- Producentens varenummer:
- RD3P200SNTL
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | RD3P200SN | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 50mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 55nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 20W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 6.4 mm | |
| Længde | 6.8mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 2.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie RD3P200SN | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 50mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 55nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 20W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 6.4 mm | ||
Længde 6.8mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 2.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
RD3P200SN er en Power MOSFET med lav modstand ved tændt. velegnet til omskiftning.
Lav modstand ved tændt.
Hurtig koblingshastighed.
Drivkredsløb kan være enkle.
Parallel brug er let.
Blyfri belægning
Relaterede links
- ROHM N-Kanal 7 A 650 V DPAK (TO-252) R6507END3TL1
- ROHM N-Kanal 7 A 650 V DPAK (TO-252) R6507KND3TL1
- ROHM N-Kanal 11 A 650 V DPAK (TO-252) R6511KND3TL1
- ROHM N-Kanal 9 A 650 V DPAK (TO-252) R6509KND3TL1
- ROHM N-Kanal 4 A 650 V DPAK (TO-252) R6504KND3TL1
- ROHM N-Kanal 9 A 650 V DPAK (TO-252) R6509END3TL1
- ROHM N-Kanal 11 A 650 V DPAK (TO-252) R6511END3TL1
- ROHM N-Kanal 4 A 650 V DPAK (TO-252) R6504END3TL1
