onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 65 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, FCH040N65S3

Indhold (1 rør af 450 enheder)*

Kr. 18.721,80

(ekskl. moms)

Kr. 23.402,25

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 450 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rør*
450 +Kr. 41,604Kr. 18.721,80

*Vejledende pris

RS-varenummer:
172-3422
Producentens varenummer:
FCH040N65S3-F155
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

65A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

TO-247

Serie

FCH040N65S3

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

40mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

417W

Portkildespænding maks.

30 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

136nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

15.87mm

Højde

20.82mm

Bredde

4.82 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
SuperFET® III MOSFET er ON Semiconductors helt nye højspændings Super-Junction (SJ) MOSFET-serie, der benytter ladebalance-teknologi for fremragende lav modstand ved tændt og lavere portopladningsydeevne. Denne avancerede teknologi er skræddersyet til at minimere ledningsevnetab, give fremragende skifteevne og modstå ekstrem dv/dt-hastighed. Dermed er SuperFET III MOSFET meget velegnet til forskellige strømsystemer for miniaturisering og højere effektivitet.

700 V ved Tj = 150 °C

Højere pålidelighed ved drift ved lav temperatur

Meget lav portopladning (typ. Qg = 78 nC)

Lavere skiftetab

Lavt effektivt udgangskapacitet (typ. Coss(eff.) = 715 pF)

Lavere skiftetab

Optimeret kapacitet

Lavere spids Vds og lavere Vgs svingninger

Typ. RDS(on) = 62 mΩ

Bølgelodningsgaranti

Databehandling

Telekommunikation

Industriel

Telekommunikation/server

Solenergiinverter/UPS

EVC

Relaterede links