onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, FCH Nej

RS-varenummer:: 178-4239
Producentens varenummer:: FCH125N65S3R0-F155
Brand:: onsemi

onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, FCH Nej

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 815,46

(ekskl. moms)

Kr. 1.019,34

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 07. maj 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rør*
30 +	Kr. 27,182	Kr. 815,46

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 178-4239
Producentens varenummer:: FCH125N65S3R0-F155
Brand:: onsemi

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	onsemi
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	24A
	Drain source spænding maks. Vds	650V
	Serie	FCH
	Emballagetype	TO-247
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	125mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Effektafsættelse maks. Pd	181W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	46nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	30 V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Længde	15.87mm
	Højde	20.82mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	4.82 mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand onsemi
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 24A
	Drain source spænding maks. Vds 650V
	Serie FCH
	Emballagetype TO-247
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 125mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Effektafsættelse maks. Pd 181W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 46nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 30 V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Længde 15.87mm
	Højde 20.82mm
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 4.82 mm
	Bilindustristandarder Nej

COO (Country of Origin):: CN

SuperFET® III MOSFET er ON Semiconductors helt nye højspændings Super-Junction (SJ) MOSFET-serie, der benytter ladebalance-teknologi for fremragende lav modstand ved tændt og lavere portopladningsydeevne. Denne avancerede teknologi er skræddersyet til at minimere ledningsevnetab, give fremragende skifteevne og modstå ekstrem dv/dt-hastighed. Dermed medvirker SUPERFET III MOSFET Easy drive til at håndtere EMI-problemer og giver mulighed for nemmere designimplementering.

700 V ved Tj = 150 °C

Lavt effektiv udgangskapacitet (typ. Coss(eff.) = 439 pF)

Meget lav portopladning (typ. Qg = 46 nC)

Optimeret kapacitet

Typ. RDS(on) = 105 mΩ

Indvendig portmodstand: 0,5 Ω

Fordele:

Højere pålidelighed ved drift ved lav temperatur

Tabsfattigt skift

Lavere spids Vds og lavere Vgs svingninger

Anvendelsesområder:

Databehandling

Forbruger

Industriel

Slutprodukter:

Notebook/stationær computer/spilkonsol

Telekommunikation/server

UPS/solenergi

LED-belysning/forkobling

onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, FCH Nej

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Relaterede links