onsemi N-Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, FCH
- RS-varenummer:
- 178-4649
- Producentens varenummer:
- FCH125N65S3R0-F155
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 107,11
(ekskl. moms)
Kr. 133,89
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 19. maj 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 53,555 | Kr. 107,11 |
| 20 + | Kr. 46,15 | Kr. 92,30 |
*Vejledende pris
Alternativ
Dette produkt er ikke tilgængeligt i øjeblikket. Vi anbefaler dette alternativ.
Pr. stk. (i rør á 30)
Kr. 984,15
(ekskl. moms)
Kr. 1.230,19
(inkl. moms)
- RS-varenummer:
- 178-4649
- Producentens varenummer:
- FCH125N65S3R0-F155
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 24A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | FCH | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 125mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 181W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 46nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 15.87mm | |
| Bredde | 4.82mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 20.82mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 24A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie FCH | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 125mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 181W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 46nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 15.87mm | ||
Bredde 4.82mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 20.82mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
SuperFET® III MOSFET er ON Semiconductors helt nye højspændings Super-Junction (SJ) MOSFET-serie, der benytter ladebalance-teknologi for fremragende lav modstand ved tændt og lavere portopladningsydeevne. Denne avancerede teknologi er skræddersyet til at minimere ledningsevnetab, give fremragende skifteevne og modstå ekstrem dv/dt-hastighed. Dermed medvirker SUPERFET III MOSFET Easy drive til at håndtere EMI-problemer og giver mulighed for nemmere designimplementering.
700 V ved Tj = 150 °C
Lavt effektiv udgangskapacitet (typ. Coss(eff.) = 439 pF)
Meget lav portopladning (typ. Qg = 46 nC)
Optimeret kapacitet
Typ. RDS(on) = 105 mΩ
Indvendig portmodstand: 0,5 Ω
Fordele:
Højere pålidelighed ved drift ved lav temperatur
Tabsfattigt skift
Tabsfattigt skift
Lavere spids Vds og lavere Vgs svingninger
Anvendelsesområder:
Databehandling
Forbruger
Industriel
Slutprodukter:
Notebook/stationær computer/spilkonsol
Telekommunikation/server
UPS/solenergi
LED-belysning/forkobling