onsemi N-Kanal, MOSFET, 44 A 650 V, 3 ben, D2PAK (TO-263) FCB070N65S3

Se alle MOSFET
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
RS-varenummer:
172-4626
Producentens varenummer:
FCB070N65S3
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

44 A

Drain source spænding maks.

650 V

Kapslingstype

D2PAK (TO-263)

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

3

Drain source modstand maks.

70 mΩ

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

4.5V

Mindste tærskelspænding for port

2.5V

Effektafsættelse maks.

312 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

±30 V

Længde

10.67mm

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Antal elementer per chip

1

Bredde

9.65mm

Gate-ladning ved Vgs typisk

78 nC ved 10 V

Driftstemperatur min.

-55 °C

Højde

4.83mm

Gennemgangsspænding for diode

1.2V

COO (Country of Origin):
CN
SuperFET® III MOSFET er ON Semiconductors helt nye højspændings Super-Junction (SJ) MOSFET-serie, der benytter ladebalance-teknologi for fremragende lav modstand ved tændt og lavere portopladningsydeevne. Denne avancerede teknologi er skræddersyet til at minimere ledningsevnetab, give fremragende skifteevne og modstå ekstrem dv/dt-hastighed. Dermed er SuperFET III MOSFET meget velegnet til forskellige strømsystemer for miniaturisering og højere effektivitet.

700 V ved Tj = 150 °C
Højere pålidelighed ved drift ved lav temperatur
Meget lav portopladning (typ. Qg = 78 nC)
Lavere skiftetab
Lavt effektivt udgangskapacitet (typ. Coss(eff.) = 715 pF)
Lavere skiftetab
Optimeret kapacitet
Lavere spids Vds og lavere Vgs svingninger
Typ. RDS(on) = 62 mΩ
Bølgelodningsgaranti
Databehandling
Telekommunikation
Industriel
Telekommunikation/server
Solenergiinverter/UPS
EVC

Relaterede links