Microchip, MOSFET TP0606N3-G
- RS-varenummer:
- 177-9694
- Producentens varenummer:
- TP0606N3-G
- Brand:
- Microchip
Varen er desværre i restordre, forventet afsendelsesdato 04-07-2024
Dag til dag levering ikke mulig
Pris pr. stk. (i en pose á 1000)
Kr. 5,761
(ekskl. moms)
Kr. 7,201
(inkl. moms)
| Enheder | Pr stk. | Per Bag* |
| 1000 + | Kr. 5,761 | Kr. 5.761,00 |
- RS-varenummer:
- 177-9694
- Producentens varenummer:
- TP0606N3-G
- Brand:
- Microchip
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
- COO (Country of Origin):
- US
Generel produktinformation
Transistoren med lav tærskel og optimeret tilstand (normalt off) benytter en lodret DMOS-struktur og velafprøvet silicium-gate produktionsproces. Denne kombination producerer en enhed med effekthåndteringsfunktionerne for bipolære transistorer med høj indgangsimpedans og positiv temperaturkoefficient integreret i MOS-enheder. Denne enhed, der har karakteristik af alle MOS-strukturer, er fri for termisk runaway og termisk induceret sekundært nedbrud. Vertikale DMOS FET’er er ideelt egnet til en bred vifte af switching- og forstærkningsopgaver, hvor meget lav tærskelspænding, høj gennemslagsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige skiftehastigheder ønskes.
Lav tærskel - 2,0 V maks.
Høj indgangsimpedans
Lav indgangskapacitet - 100pF typisk
Hurtig omkoblingshastighed
Lav modstand ved tændt
Fri for sekundære nedbrud
Lav indgangs- og udgangslækstrøm
Høj indgangsimpedans
Lav indgangskapacitet - 100pF typisk
Hurtig omkoblingshastighed
Lav modstand ved tændt
Fri for sekundære nedbrud
Lav indgangs- og udgangslækstrøm
Egenskaber
Attribute | Value |
|---|---|
| Monteringstype | Hulmontering |